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Veeco与ALLOS共同展示200mm硅基氮化镓外延片产品

时间:2018-11-10 10:18

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作者:admin

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导读:Veeco与ALLOS共同展示200mm硅基氮化镓外延片产品-Veeco Instruments Inc. 与 ALLOS Semiconductors GmbH 8日宣布取得又一阶段的合作成果,双方共同努力,致力于为microLED生产应用提供业内领先的硅基氮...

Veeco Instruments Inc. 与 ALLOS Semiconductors GmbH 8日宣布取得又一阶段的合作成果,双方共同努力,致力于为microLED生产应用提供业内领先的硅基氮化镓外延片产品技术。两家公司最近合作的宗旨是,在为全球范围内多家杰出的消费类电子产品公司生产外延片的同时,展示ALLOS 200 mm硅基氮化镓外延片产品技术在Veeco Propel™ MOCVD反应器上的可复制性。

“要将microLED技术转化为生产,仅依据单项指标展示主导价值是不够的。我们必须确保每种外延片的整套规格都具有出色的可重复性和收益,”Veeco Compound Semiconductor业务部门高级副总裁兼总经理Peo Hansson博士表示。“此次成功联合再次肯定Veeco的优秀MOCVD专业知识与ALLOS硅基氮化镓外延片产品技术强强结合,能够为客户提供经验证的、可靠的创新方案,加速推进microLED应用。”

作为标准,传统LED技术通过分类和分级实现波长一致性。但鉴于microLED尺寸小、数量多而无法分类和分级,因此,外延沉积的一致性变得更为重要。要使大批量生产microLED显示器的承诺变成现实,最重要的成功要素在于实现极佳的发射波长一致性,这样就不需要进行单独的microLED芯片测试和分选。根据业内目标要求,外延片分级应介于+/-1 nm(下限)和 +/-4 nm(上限)之间,取决于应用和传质方法。通过合作项目,Veeco和ALLOS通过标准偏差仅为0.85 nm的晶片进一步改善至关重要的波长一致性,这在生产系统方面属于行业首例。

“Veeco和ALLOS对晶片之间的可复制性进行了验证,所有晶片的平均波长标准偏差为1.21 nm,且峰值波长介于+/-0.5 nm范围内。由此,我们朝着+/-1 nm外延片分级的目标又迈进一大步,”ALLOS首席执行官Burkhard Slischka表示。“我们的技术已经可以在直径200 mm的晶片上使用,这样就能使用低成本、高收益的硅系列进行 microLED芯片生产。此外,我们对于300 mm晶片应用已有清晰的发展蓝图。”

作为下一个重大技术转变主题,microLED备受显示器技术创新者的关注。据调研公司Yole Développement,到2025年,市售microLED显示器数量可能达到3.3亿台。边长小于100μm的microLED技术被视作开发功耗更低的旗舰显示器的重要驱动因素,相关技术承诺助长了这一乐观情绪。但是,材料成本高、收益低以及microLED传质技术产量一直阻碍着此类显示器的开发。此次技术联合有效地解决了这些挑战,Veeco和ALLOS将继续与客户合作,旨在进一步改善硅基氮化镓外延片和microLED传质技术。

2018年11月12日,两家公司将携手在日本金泽市召开的国际氮化物半导体工作研讨会(IWN)上详细展示他们的突破成就。

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