中芯国际CEO发话：今年研发7nm工艺！

国内把半导体技术作为重点来抓，首先要突破的是3D NAND闪存，这方面主要是长江存储科技在做，而在芯片制造工艺方面，国内比Intel、三星、TSMC落后的更多，这方面追赶还得看SMIC中芯国际。日前中芯国际CEO邱慈云表态今年晚些时候会投资研发7nm工艺，不过他并没有给出国产7nm工艺问世时间，考虑到14nm工艺目标定在2018-2020年左右，估计国产的7nm工艺至少也得在2020年之后了。

中芯国际是国内最先进的半导体代工厂，2016年营收29亿美元，同比增长30%，不过与全球晶圆代工一哥TSMC台积电差距还是相当大的，后者去年营收约为300亿美元，半导体工艺更是领先——TSMC早就量产16nm FinFET工艺了，今年还会量产10nm工艺，SIMC目前最先进的工艺还是28nm，主力工艺还是40nm、55nm等。

2015年比利时国王访华时，中比双方签署了一系列合作协议，其中一条就是中芯国际、华为、高通与比利时微电子中心IMEC合作研发14nm FinFET工艺，预计会在2020年之前达成《国家集成电路产业发展推进纲要》提出的16/14纳米工艺实现规模量产的目标。

中芯国际从28nm直接进入14nm，跳过了20nm节点，未来也很有可能跳过10nm节点，直接进入7nm节点。该公司CEO邱慈云博士日前对外表态称今年晚些时候会投入R&D研发资金开发7nm工艺，他还提到近年来中芯国际加大了研发投入力度，R&D投资占据公司12-13%的营收，2016年资本支出也创纪录地达到了27亿美元。

邱博士并没有提到国内7nm工艺的具体情况，目前看来只是开始投入研发资金，这一点上要比Intel、三星GF、TSMC早几年就研发7nm工艺要晚得多，不过他们依然是全球第五家表态研发7nm工艺的半导体公司，随着制程工艺越来越先进，全球有能力研发新工艺的晶圆厂越来越少。