GaN-on-Si技术助力降低LED及功率元件成本

　　比利时微电子研究中心（IMEC）与有机金属化学气相沉积（MOCVD）制程设备供应商--威科（Veeco）日前宣布，将共同投入于矽基氮化镓 （GaN-on-Si）基板研究计划，目的在于降低功率元件（Power Devices）和发光二极体（LED）的制造成本。

　　威科资深副总裁暨总经理Jim Jenson表示，GaN-on-Si技术可用来降低LED及功率元件的成本，将有助固态照明、电源供应器，甚至是太阳能板及电动车的发展。威科自 2011年起即与IMEC戮力于GaN-on-Si的研究与发展计划，双方都致力于降低成本及维持GaN-on-Si元件的效能，此项合作计划对双方而言可谓互惠互利。

　　GaN-on-Si曾一度被期许为LED基板技术的明日之星，因其具备快速量产及低成本优势，可望加速LED照明的普及；但GaN-on-Si的技术挑战与良率问题，让许多研发厂商颇为踌躇，导致技术发展牛步，亟待各家厂商共思解决之道，以突破GaN-on-Si基板跃升市场主流的瓶颈。

　　因此IMEC聚集许多业者共同参与GaN-on-Si研发计划，希望研发出200毫米（mm）矽基板的世界级的氮化镓（GaN）LED及功率元件，并使其可兼容于200毫米互补式金属氧化物半导体（CMOS）制程。各家厂商藉由与IMEC联手，共享成本、人才及智慧财产权，可望加速研发进程及将此项先进技术推进到市场的脚步。

　　IMEC首席科学家Barun Dutta表示，IMEC与威科的目标是建立完整的制程设备，以帮助GaN-on-Si成为更具竞争力的技术，而威科的MOCVD设备具有高生产力，且能产出一定品质的磊晶，将有助GaN-on-Si基板在功率元件和LED应用的研发更快达到新里程碑。