NGK Insulators在GaN晶圆上实现绿光LED光效翻倍

　　电子发烧友网讯 [翻译/Joyce] 总部在日本名古屋的NGK Insulators研发出一种氮化镓（GaN）晶圆，据称可以将原来的绿光LED 的光效翻倍。NGK采用自主专利的液相外延技术法，在单晶体生长阶段降低缺陷密度。该公司说，他们所有的2寸直径GaN晶圆的缺陷密度都很低，并且是无色透明的。

GaN晶圆，左边为2寸，右边为4寸

　　根据该公司和名古屋大学合作的联合研究表明，NGK GaN晶圆上的绿光LED 芯片获得了60%的内量子效率（每平方厘米的注入电流密度大约是200安培）。这个效率大约是当前市面上的绿光LED 芯片的两倍。该公司于今年10月14日至19日在日本北海道札幌市举办的 Nitride Semiconductors国际研讨会（IWN2012）上发布了这个成果。