安森美荣获2025全球电子成就奖之年度功率半导体

11月25日，安森美（onsemi）采用TOLL封装的 5mOhm /750V SiC Combo JFET UG4SC075005L8S凭借卓越的性能和创新的设计，荣获2025年全球电子成就奖（World Electronics Achievement Awards, 简称WEAA）年度功率半导体/驱动器产品奖，彰显了安森美在第三代半导体领域技术领导地位和市场优势。

随着AI算力芯片功耗的持续飙升，服务器电源供应单元（PSU）在功率密度方面面临严峻挑战，必须在有限空间内实现更大的功率输出，这要求PSU在功率器件选型与系统拓扑架构上寻求根本性的突破。

UG4SC075005L8S将一颗750V SiC JFET 和一颗低压Si MOSFET集成在单个TOLL封装中，形成独特的Combo JFET结构。与标准共源共栅结构相比，SiC Combo JFET通过驱动实现更低的导通电阻 RDS(ON)、可完全控制开关速度，以及具备结温检测能力。

UG4SC075005L8S在AI PSU设计中广受青睐，有力支持下一代20 kW系统。其创新的Combo架构、高能效、高可靠性及系统友好性，可精准应对AI领域大电流、高功率场景的核心需求。

UG4SC075005L8S具有多个优势：

超低导通电阻RDS(ON)：得益于先进的SiC JFET技术，UG4SC075005L8S的导通电阻低至5mOhm，可显著降低导通损耗，提高能效。

更高的峰值电流Idm：该器件具备高峰值电流，这对于要求高稳健性和大电流穿越能力的电路保护应用至关重要，是实现相关保护功能的理想选择。

低热阻RθJC：采用银烧结裸片贴装技术，其界面导热性能比多数焊接材料提高了六倍，即使在更小的裸片尺寸下，也实现了相同甚至更低的结至外壳热阻RθJC。这对于保持较低的结温，进而确保更高的可靠性至关重要。

此外，该产品具备出色的速度可控性，通过调节关断速度有效减少电压过冲，强化短路保护能力，并适用于多路并联应用，在开关损耗与动态电流之间实现良好平衡。其结构简单、寿命长且无参数漂移问题，同时兼容成熟的硅基晶体管驱动器，无需专用驱动电路，大大简化系统设计并加速产品开发进程。

展望未来，安森美将始终以技术创新为核心驱动力，深耕宽禁带半导体等关键赛道，不断突破性能极限与应用边界。