飞虹IGBT单管FHA40T65A在逆变器电路设计中的应用

FHA40T65A作为一款场N沟道沟槽栅截止型IGBT单管，采用TO-3PN封装，使用Trench Field stop Ⅱ technology 和通过优化工艺，来获得极低的 VCEsat 饱和压降，并在导通损耗和关断损耗（Eoff）之间做出来良好的权衡。

不仅广泛用于高频车载正玄波AC220V逆变器、光伏逆变器等逆变器电路，而且还可用于户外储能电源、UPS、变频器、电焊机和工业缝纫机等各类硬开关。

该IGBT单管不仅能代换仙童FGH40N60SFD型号使用，而且产品具备良好的短路性能，为电机驱动领域处理突发事件提供充足的裕量。

FHA40T65A在上述电路设计中的特点

1、高电压电流适配能力：650V的集电极-发射极电压（VCES）与80A连续集电极电流（IC@Tc=25℃），适用于高频逆变器、UPS、电焊机及中高开关频率变频器等硬开关应用。

2、低饱和压降，高能效表现：VCEsat典型值低至1.51V@IC=40A, Tj=25℃，最大不超过1.85V，有效降低导通损耗，提升系统效率。

3、优良的开关性能：总开关损耗（Ets）典型值为1.7mJ@25℃，结合低栅极电荷（Qg=110nC） 与短拖尾电流，适用于中高频开关拓扑。

4、高可靠性设计：

内置快恢复二极管，反向恢复时间（trr）低至97ns@IF=20A；

具备正温度系数，支持多管并联；

短路耐受时间达3μs，系统鲁棒性强；

符合RoHS标准，工作结温范围-55℃至+175℃。

FHA40T65A核心参数的匹配适用

该器件为沟槽栅场截止型IGBT单管，主要参数如下：

集电极-发射极电压（VCES）：650 V

连续集电极电流（IC）：40A（Tc=100℃）

饱和压降（VCEsat）：1.51 V（Tj=25℃）

总开关损耗（Etotal）：1.7 mJ（Tc=25℃）

结到壳热阻（Rth(j-c)）：0.5 °C/W

总栅极电荷（Qg）：110 nC

封装形式：TO-3PN

FHA40T65A是一款性能全面、封装适用广的IGBT单管，特别适用于高频车载正玄波AC220V逆变器、光伏逆变器、储能电源、UPS、变频器、电焊机和工业缝纫机等各类硬开关。飞虹半导体作为国内功率器件重要供应商，不仅提供各类型IGBT单管、IGBT单管、三极管等标准型号，还支持定制化需求，并已实现与多家厂商的稳定合作。