简化的MOSFET等效电路，看Rds和Rg电阻损耗

简化的MOSFET等效电路

MOSFET开通（turn on）过程

MOSFET损耗——Rds和Rg电阻损耗

Diode损耗——肖特基不计反向恢复损耗

L/C损耗

IC损耗

小结

综合上述分析可知，影响效率的因素主要有Rds（on），开关频率，有效值电流。