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SiC器件如何增加功率电路的安培容量

Wolfspeed WolfPACK TM 是一款全 SiC 模块，便于在单个封装内集成电路拓扑，从而以标准尺寸为功率电路提供更高的安培容量。该模块体积紧凑，易于安装启用，...

阅读全文2023-05-24

BMS是如何在线测量电池内阻的？

电池的寿命与内阻之间存在一定的关系，内阻的大小对电池容量和放电性能有较大的影响，从而影响电池的寿命。...

阅读全文2023-05-24

理一理 OC/OD 门、开漏输出、推挽输出等一些相关

电子设计基础知识，讲一讲OC/OD门，开漏/推挽输出，以及图腾柱 ... 矜辰所致...

阅读全文2023-05-24

新型SBD和MOSFET封装大幅缩减尺寸，提升功率密度

与硅相比，宽禁带半导体技术，如 Wolfspeed 的碳化硅（SiC）MOSFET 和肖特基势垒二极管（SBD）可为电源设计人员带来诸多优势。更低的传导和开关损耗提高了...

阅读全文2023-05-24

具体电值大小受管内足

和B、E极测出一组数字，然后对调表笔测出第二组数字/刚 s4aiex-5若此租B。模来城该背正高。具体电值大小受管内足。...

阅读全文2023-05-24

使用碳化硅基MOSFET提高功率转换效率

碳化硅（SiC）已经成为一个明确的选择，因为它已经成熟并且是第三代。基于 SiC 的 FET 具有许多性能优势，特别是在效率、更高的可靠性、更少的热管理问...

阅读全文2023-05-24

UCLAMP0571P.TNT 静电ESD抑制二极管品牌厂家上杭州

由此可知东沃TVS/ESD二极管UCLAMP0571P.TNT是单向、封装DFN1610-2、工作电压5V、Ipp是170A，用于保护电压敏感数据和电源线，在手机、手持便携式电子产品、电池保...

阅读全文2023-05-24

使用Wolfspeed碳化硅MOSFET对常见拓扑进行建模

现在，工程师比以往任何时候都更多地选择基于碳化硅（SiC）的产品，因为它们比基于硅（Si）的组件具有更高的效率、功率密度和更好的整体系统成本...

阅读全文2023-05-24

推挽电路原理：“上P下N”及“上N下P”的区别

在做信号控制以及驱动时，为了加快控制速度，经常要使用推挽电路。推挽电路可以由两种结构组成：分别是上P下N，以及上N下P。...

阅读全文2023-05-23

FFT_ad采样速率简析

调用quartus的ip核测量频率和幅值，可以把程序分成四大部分。第一部分是AD采样模块，本次实验用的是ad828，最高采样率为70M...

阅读全文2023-05-23

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