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ADL8106 GaAs pHEMT低噪声放大器，20 GHz 至 54 GHz技术手 ADL8106 是一款砷化镓 (GaAs) 假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 微波单片集成电路 (MMIC) 宽带低噪声放大器，工作频率为 20 GHz 至 54 GHz。ADL8106 提供 21.5 dB 的增益... 阅读全文2025-04-22 ADPA7009-2 20 GHz 至 54 GHz GaAs pHEMT MMIC 29 dBm (0.5 W) 功 ADPA7009-2是一款砷化镓 (GaAs) 假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 微波单片集成电路 (2) MMIC dBm 饱和输出功率0.5 W功率放大器，具有集成的温度补偿片内功率检测器... 阅读全文2025-04-22 ADL8142-2 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，23 GHz至 ADL8142-2CHIP是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带放大器，工作频率范围为23 GHz至31 GHz。在27 GHz至31 GHz范... 阅读全文2025-04-22 ADH8411S 0.01 GHz 至 10 GHz 低噪声放大器技术手册 ADH8411S-CSH 是一款砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声宽带放大器，工作范围为 0.01 至 10 GHz。... 阅读全文2025-04-22 领慧立芯LHD5755-1四通道16位DAC产品介绍 LHD5755-1是一款四通道、电压和电流输出DAC，采用一26V至+33V电源供电。片内动态电源控制功能基于为实现片内功耗最低而优化的DC-DC升压转换器，在电流模式... 阅读全文2025-04-22 ADRF5534 3.1 GHz 至 4.2 GHz，接收器前端技术手册 ADRF5534 是一款集成 RF 的前端多芯片模块，设计用于时分双工 (TDD) 应用。该套件的工作频率为 3.1 GHz 至 4.2 GHz。ADRF5534 配置有 LNA 和一个大功率硅 SPDT 开关。... 阅读全文2025-04-22 ADPA1122 43dBm、20W、GaN 功率放大器，8.2GHz 至 11.8G ADPA1122 是一款氮化镓 (GaN) 功率放大器，在 8.2GHz 至 11.8Ghz 频率范围内，可提供 43dBm (20W) 功率和高于 43% 的功率附加效率 (PAE)。ADPA1122 在 9.6GHz 至 11GHz 范围内... 阅读全文2025-04-22 ADL8141 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，14 GHz至2 ADL8141是一款低功耗、低噪声放大器，工作频率范围为14 GHz至24 GHz。典型增益、噪声系数和输出三阶交调点(OIP3)分别为29 dB、1.4 dB和18 dBm。采用2 V电源时，电... 阅读全文2025-04-22 ADL8100 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，0.01 GHz至 ADL8100是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、宽带低噪声放大器(LNA)，工作频率范围为0.01 GHz至20 GHz。ADL8100在0.01 ... 阅读全文2025-04-22 ADL8102 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，1 GHz至22 ADL8102是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)、低噪声宽带放大器，工作频率范围为1 GHz至22 GHz。... 阅读全文2025-04-22 首页上一页 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 下一页末页

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