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In-cell技术发展面临三大瓶颈

时间:2015-08-28 08:14

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作者:admin

标签: 触控技术 

导读:In-cell技术发展面临三大瓶颈-触控萤幕追求轻薄,原本显示器外挂触控模组的方式,近来逐渐被in-cell内嵌式取代,将触控元件电极整合到显示元件的驱动线路基板上,以减玻璃或薄膜 的...

  触控萤幕追求轻薄,原本显示器外挂触控模组的方式,近来逐渐被in-cell内嵌式取代,将触控元件电极整合到显示元件的驱动线路基板上,以减玻璃或薄膜 的堆迭,实现显示模组的轻薄化,此种工艺需要具有极高黄光微影能力与先进设备的厂商,才能将极细小线宽的线路整合并开出合理良率的产品,因此至今in- cell的供应厂商还是仅限于少数LTPS面板厂,而且生产工序繁复、良率不易提高、易有干扰、尺寸大型化不易等困难。

  恒煦电子材料总经理许铭案表示,以目前In-cell技术的发展来看,遇到中大尺寸触控将变得不灵敏、未来2k解析度或4倍像素高画质的显示使线路设计制作难度加高、以及难以制作曲面触控等三大瓶颈。

  金属网格外挂触控将是克服上述in-cell难题的方案趋势,许铭案说,由于铜是相当优良的导电材,电阻值小于ITO的1/100,非常容易制作大型化 并兼具高敏感度的触控模组,对于驱动IC也没有特殊要求。同时,金属网格metalmesh铜制程能够同时制作极细(3um)的感测区与集线区线路,省去 多道工序与银浆等材料,使触控模组的制作成本大幅下降。

  恒煦电子材料集合半导体制程技术及光阻技术,开发出精细铜制程的全套材料方案,突破铜 金属网格Cumetalmesh铜制程技术瓶颈,不需昂贵的曝光设备,铜导线宽最小也可做到1~2um,推展在今年有了初步成果,目前已有多家厂商导入用 于铜集线小于20um的Cu-ITO极窄边框薄膜触控,以及纯铜线宽小于2um的铜金属网格Cumetalmesh玻璃与薄膜触控感测器生产。

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