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飞虹场效应管100N8F6A在电源设计中的应用

时间:2025-10-23 09:40

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作者:admin

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导读:在各类工业与消费类电源设计中,如DC/DC转换器、DC-AC逆变器、AC-DC开关电源等,功率MOSFET的选型对系统效率、散热性能及整体可靠性具有决定性影响。...

在各类工业与消费类电源设计中,如DC/DC转换器DC-AC逆变器、AC-DC开关电源等,功率MOSFET的选型对系统效率、散热性能及整体可靠性具有决定性影响。

常见设计中,工程师常选用STP110N8F6等中低压MOS管作为功率开关器件。

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随着国产半导体技术的日趋成熟,越来越多的电源设计开始转向国产高性能MOS管。FHP100N8F6A 作为一款性能优异的国产N沟道增强型功率MOSFET,不仅具备与STP110N8F6兼容的电气参数,更在栅极特性和开关性能方面表现出色,非常适用于高效率电源系统的设计。

今天我们来了解为什么FHP100N8F6A型号场效应管能够替代STP110N8F6型号参数在各类电源设计中使用。

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首先除了基本规格如 85V 耐压、120A 连续电流能力外,FHP100N8F6A 还具有以下对电源设计极为有利的特点:

1、低栅极电荷

2、开关速度快

3、100%经过 Rg 测试

4、极低的FOM(RDSON*Qg)

5、极低的输入电容

6、100%经过雪崩测试

7、100%经过热阻测试

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当然除了产品具备的优良特点外,FHP100N8F6A能替代STP110N8F6中低压MOS管型号其还具备优良的参数:

1、Vgs(±V):20;VGS(th):2.0-4.0V

2、ID(A):120A;BVdss(V):85V

3、最大脉冲漏极电流(IDM ):320A

4、N 沟道增强型场效应晶体管

5、TO-220封装:便于安装散热器,适用于中大功率电源模块

6、反向传输电容:18pF

7、静态导通电阻RDS(on) = 6.5mΩ(MAX) @VGS = 10 V,RDS(on) =5.3mΩ(TYP) @VGS = 10 V

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对于DC/DC转换器、DC-AC逆变器、AC-DC开关电源等电源设计相关的电路想要选择好的MOS管产品应用,建议选用FHP100N8F6A型号场效应管。

除参数适合外,飞虹的工程师还会提供优质的产品测试服务。飞虹致力于半导体器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售,给厂家提供可持续稳定供货。至今已经有35年半导体行业经验以及20年研发、制造经验。除可提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。

温馨提示:以上内容整理于网络,仅供参考,如果对您有帮助,留下您的阅读感言吧!
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