电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在刚刚结束的GTC 2026上，
英伟达推出了Vera Rubin POD，这是一套极致的软硬件协同设计的多机架系统组成的集群，也是一台
AI超级计算机。
具体来说，Vera Rubin POD通过将负责计算、网络和存储功能的七种芯片（包括Rubin
GPU、Vera
CPU、NVLink 6 Switch、ConnectX-9 SuperNIC、BlueField-4 DPU、Spectrum-6
Ethernet Switch，以及集成Groq 3 LPU）进行整合，形成一个拥有40个机架结构、1200万亿个
晶体管、接近20000个英伟达die、1152个Rubin GPU、60 exaflops算力和10 PB/s 总scale-up带宽的AI超算。
Vera Rubin POD由 5 种专用机架组成，包括NVL72 计算架、Groq LPX 推理架、Vera CPU 架、BlueField-4存储架和Spectrum-6 网络架，而这些机架都是基于第三代NVIDIA MGX机架架构设计。而作为一套为超高密度AI工厂设计的，拥有40机架规模的AI超级计算机POD，功率密度需求同样惊人，完整的40机架POD总功率可高达数百MW，因此英伟达从去年开始就一直在推动800V
DC高压直流供电架构，以替换传统的415V
AC和48/54 VDC的供电架构，以满足Rubin平台的电力需求。
根据英伟达Rubin平台交付的计划，目前芯片已经进入量产阶段，NVL72等机架正在同步生产，预计Vera Rubin平台产品包括POD、NVL72机架将从2026下半年由系统制造商合作伙伴交付。
因此，在Rubin平台临近交付的节点，今年的GTC上，一些800VDC架构生态合作伙伴也展示了最新的相关方案，从各家的方案来看800V-50V、800V-12V、800V-6V单级转换是目前800VDC供电架构中最核心的模块之一。
德州仪器
TI 在 NVIDIA GTC 上展示了全面的800 VDC
电源架构解决方案，该方案仅需要两个功率转换级，即可将 800V 转换为 GPU 核心电源：首先通过高峰值效率的紧凑型800V 至 6V 隔离式母线
转换器，其后再通过高电流密度的 6V 至 1V 以下多相降压解决方案。具体包括：
800V热插拔
控制器：可扩展的热插拔解决方案，提供 800V 电源轨的输入保护，支持安全热插拔和故障隔离。
800V至6V
DC/DC 汇流排转换器：高密度设计，集成GaN功率级，峰值效率达 97.6%，功率密度> 2,000 W/in³，适用于计算托盘应用。这是方案中的核心创新，只用一个功率转换级就将800V降到6V，通过缩短转换的路径减少转换损失，同时也是GaN高频功率器件在数据
中心应用的标杆案例之一。
6V至<1V多相降压转换器：专为先进 GPU 核心设计的高电流解决方案，与传统 12V 设计相比功率密度更高，采用双相功率级，支持极低电压高电流需求。
30kW 800V高功率密度AC/DC电源：适用于AI服务器的AC到800V DC转换，高密度设计，支持大规模AI负载。
800V
电容器组单元（CBU）：采用 EDLC（双电层
电容器）超级电容单元，功率密度达40 W/in³，在GPU瞬间高负载时提供即时能量补偿，增强整个供电系统的动态响应稳定性，类似于Vera Rubin POD的
Intelligent Power Smoothing 功能。
800V至12V DC/DC汇流排转换器：用于计算托盘中非核心组件的电源转换，部分场景兼容12V负载。
纳微半导体
从800V到6V的单级转换，是目前800VDC架构中最核心的一个部分，也是难度最高的部分。纳微半导体在GTC2026上推出了采用GaNFast技术的新型800V-6V DC/DC电源转换板，在满负荷运行时，其峰值效率可高达96.5%。该
电源模块的开关频率为1MHz，因此能够实现2100W/in³的功率密度。其厚度比
手机还要薄约20%，这种超薄的设计使得它能够与GPU芯片紧密集成在一起，从而最大限度地提升系统的瞬态响应能力，并提高电能分配效率。
图源：navitas
初级侧电路采用16 颗 650V GaNFast 功率管，采用最新 DFN8×8 双面散热封装，以堆叠全桥结构配置。中心抽头输出端采用 25V硅基
MOSFET。1MHz 开关频率允许使用最小尺寸的无源器件与平面磁件，实现最高功率密度。
英诺赛科
英诺赛科在GTC2026上重点展示800V-to-50V全
氮化镓电源模块方案。该模块位于AI服务器电源系统的关键前级转换环节，采用英诺赛科最新的第三代氮化镓器件（8颗650V GaN 和 32颗100V GaN），可将 800V高压直流母线电压直接转换为50V服务器标准电压，为后端GPU服务器提供稳定、高效的输入电源。
图源：英诺赛科
同时，在NVIDIA本次现场展示的全套800V HVDC AI数据中心电源解决方案生态中，除了英诺赛科自己展示的方案以外，超过半数NVIDIA合作伙伴的电源系统方案，均以英诺赛科氮化镓器件为核心构建。
英诺赛科表示，目前公司已成为全球最大的氮化镓功率半导体供应商之一。在NVIDIA AI Factory MGX Ecosystem中，公司推出的800V-50V、800V-12V、800V-6V氮化镓核心电源模块，可有效满足下一代AI数据中心800V HVDC电源架构对高效率、高功率密度电源转换的核心需求。
意法半导体
ST与NVIDIA 深度合作，推出800 VDC AI 数据中心电源转换产品组合扩展，包含三种电压架构+三块高功率交付板，专为Vera Rubin POD、NVL72 等超高密度 AI 机架设计。
2025年ST推出了800V-50V的DC/DC方案，该方案展示了一款紧凑型GaN LLC 谐振变换器，可直接接入 800V 高压，工作频率达 1MHz，转换效率超98%，并在手机大小的体积内，实现50V输出时功率密度突破2600W/in³。今年ST推出了800V-12V（6 kW PDB），800V-6V（20 kW PDB）的方案。
其中6kW PDB是开关频率为850 kHz LLC转换器，峰值效率达到97.5%，功率密度达到2500W/in³，原边采用700 V GaN，副边采用40 V 低压MOSFET；12kW PDB是开关频率为650 kHz的八级堆叠LLC转换器，峰值效率96.5%，原边采用120 V GaN，副边25 V MOSFET，特拓扑上把传统全桥拆成两组4个小型并联
整流桥，缩小铁氧体磁芯、分散热量。
英飞凌
英飞凌以其CoolGaN技术为核心，向业界展示了针对NVIDIA 800 VDC架构的两款高压中间汇流排转换器（HV IBC）参考设计。
其中一款参考设计将800 VDC直接转换为50 V中间总线，采用输入串联输出并联（ISOP）的拓扑结构，由两个3 kW模块并联组成，总连续功率达到6 kW，并在400微秒内可支持高达10.8 kW的瞬态峰值输出。它的峰值效率超过98%，功率密度达到2500 W/in³，整体尺寸控制在60 mm × 60 mm × 11 mm的紧凑方形封装内。
另一款是800 VDC转换为12 V输出的参考设计，同样基于ISOP半桥LLC拓扑，并引入矩阵变压器技术，连续功率6 kW，瞬态峰值同样支持10.8 kW，峰值效率达到98.2%，满载效率97.1%，功率密度超过2300 W/in³。在体积上也非常亮眼，高度仅8 mm，占地130 mm × 40 mm。这种极致扁平化设计极大地方便了液冷板上集成和服务器主板的紧凑布局，为超高密度GPU配置腾出了宝贵空间。
两款设计都大量使用了英飞凌自家的650 V CoolGaN功率器件作为原边开关元件，结合EiceDRIVER
栅极驱动器和
PSoC微控制器实现精准控制。副边则采用OptiMOS7系列低压功率MOSFET，确保高效
同步整流。
EPC
EPC开发了一款基于氮化镓的 6 kW 直流转换器，直接将 800 VDC 降压至 12.5 VDC。该设计利用了氮化镓低损耗、高开关频率的特性，满载效率接近 97%。该转换器采用输入串联、输出并联（ISOP）的 LLC 拓扑，将系统拆分为 8个相同模块。同时整机占地面积约 5000平方毫米，厚度不足 8 毫米，非常适合高密度的 GPU 服务器布局。
图源：EPC
EPC表示在该方案中，半桥 LLC 谐振变换器成为高功率、高频转换的首选。利用谐振槽实现软开关操作，大幅降低了开关损耗。相比于硬开关转换器，LLC 拓扑具有更优的热性能和更高的功率密度，是 800V 母线电压下机柜级转换器的理想选择。
安森美
安森美在这次GTC上重点展出了其800V/12V IBC板卡，该方案基于安森美领先的SiC技术，能够为高压总线架构下的关键转换节点提供高效、可靠的保护与转换能力，其在提升能效、降低数据中心总体持有成本（TCO）方面具备显著优势，是面向下一代高压数据中心架构的关键使能方案。
安森美表示，作为业内少数能够提供从电网到GPU全链路电源方案的供应商之一，安森美依托其先进的碳化硅（SiC）和垂直氮化镓（vGaN）技术产品组合，覆盖了AI数据中心电力转换的多个关键环节：在数据中心供电入口处，安森美EliteSiC分立器件与
功率模块可有效提升能效与功率密度。在电源供应器（PSU）和电池备用单元中，SiC Cascode JFET与PowerTrench T10 Si MOSFET的组合，为高功率AC-DC转换提供了理想选择。在整个供电链路中，安森美还提供热插拔保护、eFuse等方案，确保系统在全负载范围内可靠运行。
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