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具有杂散磁场补偿的3D霍尔效应位置传感器

时间:2023-08-22 14:29

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作者:admin

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导读:CUR 4000 – 具有杂散磁场补偿的3D霍尔效应位置传感器...

CUR4000是为了汽车及工业电流测量应用开发的,比如混合动力车和电动汽车的高电压电池监控系统。灵活的多霍尔阵列支持线性或差分磁场感应无接触和精确的电流感应高达≥2000A。CUR4000可用于不同的模块概念,比如有芯或者无芯。在CUR4000的线性模式下,可配置的霍尔阵列可实现有芯抗杂散场高精度测量模块设计。差分模式可实现小的抗杂散场无芯系统设计,无需屏蔽。

图 1 : CUR 4000 应用设置

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霍尔阵列的完全读出能提供全量程±0.05%以下的温漂。非线性误差±0.2%,全量程噪声性能±0.005%,实现精确的电流测量,信号带宽高达8 kHz。配备cur4000的电流传感模块可以由微控制器通过SPI接口直接在电路中编程。根据ISO 26262,CUR 4000定义为ASIL-B就绪SEooC。通过对非易失性存储器进行编程,可以根据磁路调整增益和偏移等主要特性。产品设计的环境温度(TA)为–40 °C 上至 +150 °C。

图 2: CUR 4000 块图

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主要应用

电池监测

电池断开装置

固定电池管理

主要的特性及优点

非侵入式、电隔离无触点和无芯电流传感

基于磁芯电流传感的柔性霍尔板阵列高精度线性磁场传感

无屏蔽差分磁场(杂散场补偿)无芯电流传感

信号带宽上至8 kHz

整体系统误差<1%

通过微控制器SPI接口进行校准、测试和调试

工作温度从–40 °C 到 150 °C (环境温度)

工作电压从3伏到5.5伏

ISO26262 ASIL-B 就绪并且AEC-Q100-Rev-H合规

关键数据

型号 CUR 4000
封装 SOIC8
数码输出格式 SPI
角度误差 <1%
磁场振幅范围 ±100mT
安全性 根据ISO 26262开发,ASIL-B就绪

审核编辑:彭菁

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