美高森美发布用于二级监视雷达航空应用的RF芯片

　　美高森美公司（Microsemi）宣佈推出第一款用于高功率航空交通管制（air traffic control， ATC）、二级监视无线电 （secondary surveillance radio， SSR）应用的射频（RF）电晶体的产品1011GN-700ELM。SSR 用于发送资讯至装备有雷达应答器的飞机，并且同时收集资讯，容许航空交通控制员识别、跟踪和测量特定飞机的位置。美高森美新型1011GN-700ELM 元件的峰值为700W，工作频率为1030MHz，并且支援短脉衝和长脉衝的特长讯息 （extended length message， ELM） 。新型电晶体建基于GaN on SiC 技术，这项技术特别适合高功率电子应用。

　　美高森美公司RF整合系统产品部门副总裁David Hall表示：「我们积极推动开发下一代GaN on SiC功率元件，把握更高性能航太和军事应用不断增长的机会。新产品的发佈，让我们现在可提供250、500和700W的高可靠性GaN on SiC电晶体，用于二级监控雷达搜索和跟踪应用。我们还在研发多个其它GaN on SiC电晶体产品，将于今年稍后时间推出。」

　　美高森美即将推出的产品包括多个用于L，S和C波段雷达系统的高脉衝功率GaN on SiC电晶体，并且提供一整套GaN微波功率元件，包括S波段雷达型款：2729GN-150，2729GN-270，2731GN- 110M，2731GN-200M，3135GN-100M，3135GN-170M，2735GN-35M和2735GN-100M。正在开发的数款新产品包括用于涵盖960-1215 MHz的L波段航空电子产品；涵盖1200-1400MHz的L波段雷达，以及涵盖2.7-2.9 GHzS波段雷达的较高功率元件。

　　1011GN-700ELM电晶体具有无与伦比的性能，包括700W峰值功率，21dB功率增益，以及1030 Mhz下70% 洩极效率，以降低整体洩极电流和热耗散，其它的主要产品特性包括：短脉衝和长脉衝间歇模式： ELM = 2.4 ms， 64%和6.4% LTD；出色的输出功率： 700W；高功率增益： 》21 dB最小值；经控制的动态範围： 增量1.0dB，总计15dB；洩极偏压-Vdd： +65V。

　　使用GaN on SiC高电子迁移率电晶体（HEMT）所实现的系统优势包括：採用简化阻抗匹配的单端设计，替代需要合成更多电压準位的较低功率元件；较高峰值功率和功率增益，用于减少系统功率级和最终功率级合成；单级配对提供具有余裕的1.3kW功率，四路结合提供4 kW整体系统功率；65V高工作电压，减小电源尺寸和直流电流需求；极高稳健性，提高系统良率；放大器尺寸比使用Si BJT或LDMOS製程的元件小50%。

　　1011GN-700ELM以单端封装形式供货，採用100%高温金（Au）金属化和焊锡密封引线，提供长期军用可靠性。