QLC存储新里程：德明利探索高效存储之路，赋能

在大数据和人工智能时代，数据存储需求呈指数级增长，市场对存储媒介的性能、容量和能效提出了更高要求。

随着闪存技术向高存储密度发展，一个存储单元可以存储四比特单位的QLC（Quad-Level Cell）以其高容量、低成本的特点，成为满足这一需求的重要技术方向。相较于传统的一个存储单元可以存储三比特单位的TLC（Triple-Level Cell），QLC在保持成本优势的同时，提供了更大的存储容量，成为业界关注的焦点。

QLC创新实践

M.2 2280 PCle 4.0x4 NVMe SSD

实现性能飞跃

实践路径

德明利聚焦于创新性存储解决方案的研发，深入探索存储介质及QLC特性分析。

德明利研发团队通过引入先进的纠错算法、智能功耗管理和高性能的硬件架构，与PCIe Gen4 M.2接口结合，打造出一系列商规级存储产品，为市场提供性能与成本双优的存储解决方案。

性能亮点

通过采用QLC NAND闪存，德明利M.2 2280 PCle 4.0x4 NVMe SSD容量达到4TB，实现同等体积下存储容量的成倍增长，且顺序读取速度超过7000 MB/s。在保持高性价比的同时，确保QLC SSD品质等效TLC SSD，满足人工智能、大数据处理等应用对存储设备的高性能要求。

国内首颗支持ONFI 5.0标准

TW6501 SATA SSD 存储芯片

为了进一步释放QLC技术的潜能。

德明利自主研发的TW6501 SATA SSD存储芯片目前正处于回片验证的关键阶段。

完全自主研发

SATA SSD存储芯片

作为国内首颗支持ONFI 5.0标准TW6501 SATA SSD存储芯片支持4TB大容量存储，采用4K LDPC纠错技术，实现新型闪存颗粒的兼容，提升数据传输效率与安全性。设计上采用RISC-V指令集，集成多种自研硬件加速模块，确保高速数据处理，同时低功耗设计（工作1W/支持Devslp），符合绿色存储的未来趋势。

德明利在QLC闪存介质上的持续探索，不仅体现在产品性能的提升，更在于对整个存储生态的积极推动作用。

通过在M.2 2280 PCle 4.0x4 NVMe SSD创新实践及TW6501 SATA SSD 存储芯片上的创新应用，德明利不仅为市场提供了高性能、大容量、低能耗的存储解决方案，也为QLC闪存介质在存储领域的广泛应用奠定了坚实基础。

在数据洪流的今天，德明利正积极推动存储行业迈向一个高效、绿色且成本效益显著提升的新时代，满足了市场对存储设备高性能、大容量、低能耗的综合需求。