SK海力士HBM生产效率惊人,或引领存储器市场格局

在9月25日（当地时间）于美国加利福尼亚州圣克拉拉会议中心举行的一场半导体行业盛会上，SK海力士发布的一项关于其高带宽内存（HBM）的惊人数据——“TAT 8.8:1”引起了广泛关注。这一数据揭示了SK海力士在HBM生产效率上的巨大优势。

在半导体行业中，TAT（周转时间）是指从硅晶圆开始到形成成品芯片所需的总时间。对于HBM这类高端内存产品，业内的普遍认知是其TAT约为3至4个月。然而，SK海力士通过其独特的MR-MUF工艺，在HBM生产效率上取得了突破性的进展。据披露，与采用TC-NCF工艺的其他竞争对手相比，SK海力士的HBM生产效率高出8.8倍。

这一消息引发了半导体行业内的热议。有行业人士表示，如果SK海力士的这一生产效率数据属实，那么其他公司如三星电子和美光在短期内将难以追赶。在当天的活动中，英伟达、英特尔、博通、谷歌等全球领先的半导体公司均派代表出席，并观看了SK海力士的发布会。而值得注意的是，三星电子并未出席此次论坛。

SK海力士此次参加的是由全球最大晶圆代工厂台积电主办的“开放创新平台（OIP）论坛”。在论坛上，SK海力士不仅展示了与台积电的合作关系，还介绍了其最新的AI内存解决方案。其中，SK海力士在HBM产品上的堆叠技术尤为引人注目。通过堆叠8块或12块DRAM芯片，SK海力士成功推出了8层和12层的HBM产品。

据半导体行业分析，SK海力士之所以能够在HBM生产效率上取得如此巨大的优势，主要得益于其独特的制造方法。与竞争对手采用的TC-NCF工艺相比，SK海力士的MR-MUF工艺在堆叠DRAM芯片时更为高效。通过预先堆叠DRAM芯片并在一种烤箱中烘烤，SK海力士成功缩短了HBM的生产周期，提高了生产效率。

此外，SK海力士还在HBM市场上取得了显著的进展。尽管三星电子和美光在供应第5代HBM3E产品时遇到了良率较低和发热导致的性能问题，但SK海力士已经成功向NVIDIA供应了HBM3E 8层产品，并宣布将在全球首次量产HBM3E 12层产品。这一举措进一步巩固了SK海力士在HBM市场上的领先地位。

随着HBM这种高附加值产品的市场影响力日益增强，存储器市场的格局正在发生深刻的变化。市场研究机构Trend Force预测，明年HBM在DRAM市场收入中的份额将超过30%，远高于去年的8%。这一趋势预示着HBM将成为未来存储器市场的重要发展方向。

在此背景下，SK海力士凭借其在HBM市场上的领先地位和高效的生产效率，有望在今年实现营业利润的历史性突破。有预测称，SK海力士今年的营业利润将首次超过三星半导体。这一预测基于SK海力士在HBM市场上的强劲表现以及半导体行业的整体复苏趋势。如果这一预测成真，那么存储器市场的格局将发生进一步的变化，SK海力士有望成为新的市场领导者。