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三星积极研发LLW DRAM内存,剑指苹果下一代XR设备市

时间:2024-07-18 15:19

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作者:admin

标签: 三星电子  智能设备  内存 

导读:近日,韩媒ZDNet Korea报道,三星电子正全力投入到低延迟宽I/O(LLW DRAM)内存的研发中,旨在为未来苹果Vision Pro之后的下一代头戴式显示器(XR设备)订单做好充分准备。这一举措标志着...

近日,韩媒ZDNet Korea报道,三星电子正全力投入到低延迟宽I/O(LLW DRAM)内存的研发中,旨在为未来苹果Vision Pro之后的下一代头戴式显示器(XR设备)订单做好充分准备。这一举措标志着三星在高端智能设备内存领域的雄心壮志,以及其对市场格局重塑的坚定决心。

LLW DRAM,全称为Low Latency Wide I/O DRAM,是一种专为高性能需求设计的特殊内存。其最显著的特点在于拥有数量众多的I/O引脚,从而实现了高带宽、低延迟和低功耗的完美结合。三星电子宣称,其LLW DRAM内存产品能够达到惊人的128GB/s带宽,同时保持极低的能耗,仅为1.2pJ/bit。这一技术突破不仅将显著提升设备的响应速度和整体效率,还将为用户带来前所未有的流畅体验。

值得注意的是,目前苹果Vision Pro头显上的关键内存组件正是由SK海力士独家供应的LLW DRAM内存。这款内存单颗容量达到1GB,I/O引脚数量更是传统内存的八倍,以LPDDR5内存的64bit为基础,其位宽可达512bit,提供了高达256GB/s的带宽。然而,尽管SK海力士已经在这一领域占据先机,但三星电子并未放弃竞争,反而加快了LLW DRAM内存技术的研发步伐,目前正处于小规模生产阶段,目标直指从SK海力士手中夺取市场份额。

据悉,三星与苹果之间在LLW DRAM供应问题上早有接触。早在2022年,双方就曾就这一问题进行过深入洽谈,但最终SK海力士赢得了这份订单。然而,这并未阻止三星继续推进LLW DRAM内存技术的研发。相反,三星正利用其在半导体领域的深厚积累和技术优势,不断缩小与SK海力士的差距,并致力于在未来市场中占据更有利的位置。

对于消费者而言,LLW DRAM内存的引入无疑将带来更加出色的产品体验。无论是图形密集型应用还是日常任务处理,这款新型内存都将显著提升设备的响应速度和多任务处理能力。此外,随着XR设备的普及和应用领域的不断拓展,LLW DRAM内存技术还将在AI边缘计算、智能手机、笔记本电脑和汽车等多个领域发挥重要作用。

综上所述,三星电子正积极研发LLW DRAM内存技术,旨在为未来苹果下一代XR设备订单做好准备。这一举措不仅展现了三星在高端智能设备内存领域的强大实力和技术优势,也预示着智能设备市场即将迎来一场技术革新风暴。对于消费者而言,这无疑是一个令人期待的好消息。

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