三星电子实现低功耗LPDDR5X DRAM的量产

三星电子于6日正式宣布，其已成功实现业内领先的12纳米级低功耗双倍数据速率动态随机存储器（LPDDR5X DRAM）的量产，这款存储器以惊人的0.65毫米封装厚度引领行业，同时提供12GB及16GB的存储容量选项。

LPDDR5X不仅采用了前沿的12纳米工艺技术，还创新性地构建了四层堆叠结构，并通过优化印刷电路板（PCB）与环氧树脂模塑料（EMC）的生产流程，实现了性能与效率的双重飞跃。与上一代产品相比，其封装厚度显著缩减约9%，而耐热性能则大幅提升了约21.2%，展现了卓越的耐用性与稳定性。

尤为值得一提的是，三星电子通过精进的封装后搭接（Back-lap）技术，成功将LPDDR5X的封装厚度降至业界最低水平，这一突破不仅促进了电子设备向更加轻薄化发展的趋势，还有效改善了终端设备的热管理效能，极大地降低了因过热导致的性能衰减，如速度下降和屏幕亮度降低等问题。

随着技术的不断演进，LPDDR5X的应用领域已不再局限于传统的移动设备，而是广泛拓展至AI加速器、个人电脑等多元化用户数据生成设备中，成为支撑这些设备高效运行的核心存储组件。

展望未来，三星电子计划将这款0.65毫米的LPDDR5X DRAM芯片供应给全球移动处理器制造商及移动设备生产商，旨在进一步推动低功耗DRAM市场的发展壮大。同时，公司还透露将持续加大研发投入，丰富LPDDR5X产品线，包括探索开发六层堆叠的24GB及八层堆叠的32GB等更高容量、更紧凑的封装模块，以满足市场对高性能、低功耗存储解决方案的日益增长需求。