三星与SK海力士加速移动内存堆叠技术量产

在移动设备市场中，对内存带宽的需求日益增长，促使三星电子和SK海力士两大巨头积极探索移动DRAM堆叠封装技术的创新应用。这一努力旨在大幅提升移动设备的内存性能，满足市场对于更快、更高效的移动设备的需求。

随着人工智能在智能手机、笔记本等移动设备上的广泛应用，端侧AI已经成为行业热议的焦点。为了支持端侧运行模型的高效运行，移动DRAM的性能要求也在不断提升。在这样的背景下，三星电子和SK海力士开始研究并应用堆叠芯片技术，将其视为在HBM内存领域的一种具有潜力的解决方案。

然而，传统的HBM连接方案如TSV并不适用于移动DRAM芯片，因为这些芯片往往尺寸较小。此外，HBM的高制造成本和低良率也限制了其在高产能移动DRAM市场的广泛应用。因此，三星电子和SK海力士决定另辟蹊径，采用一种创新的封装技术——垂直布线扇出技术（VFO）。

VFO技术为移动DRAM芯片堆叠难题提供了有效的解决方案。它结合了FOWLP和DRAM堆叠两项技术的优势，通过垂直连接显著缩短了电信号在多层DRAM间的传输路径，从而提高了能效。SK海力士透露，其去年中期的VFO技术验证样品在导线长度上仅为传统布线产品的四分之一，能效提升了4.9%。虽然散热量有所增加，但封装厚度减少了27%，为移动设备的设计提供了更多灵活性。

与此同时，三星也推出了采用类似技术的产品——LLW DRAM。这款产品不仅实现了低延迟和高达128GB/s的带宽性能，而且能耗仅为1.2 pJ / b，充分展示了VFO技术的优势。据悉，三星计划于明年下半年实现LLW DRAM的量产，而SK海力士的相关产品也已进入量产准备阶段。

业内专家普遍认为，采用VFO技术的产品有望继HBM之后成为下一个AI内存热点。这些产品的推出将为移动设备市场带来新的发展机遇，推动移动设备的性能提升和创新。

审核编辑：黄飞