消息称三星Q2供应超微HBM3E 下半年启动大规模量产

三星电子日前公布了其创新的12层HBM3E内存芯片计划，预计将于2024年第二季度正式投入量产，并有意将其融入超微新一代的人工智能半导体产品中，以稳固其市场地位。这一战略动作无疑凸显了三星在加速追赶HBM市场领头羊SK海力士方面的决心，也展示了其在高带宽内存技术领域的雄厚实力。

HBM，即高带宽内存，以其独特的“楼房设计”概念，打破了传统DDR内存的设计局限，凭借出色的性能在市场中赢得了广泛认可。随着技术的日新月异，HBM产品已逐步从第一代演进至第五代HBM3E，其中，美光、SK海力士与三星作为行业的技术领军者，持续推动着整个HBM市场的创新与发展。

在HBM3E技术的研发道路上，三星无疑展现出了令人瞩目的能力。其最新推出的HBM3E 12H产品，不仅支持全天候最高带宽达1280GB/s，而且产品容量高达36GB，相较于之前的8层堆叠HBM3 8H，带宽和容量均实现了大幅提升，增幅超过50%。

这一技术突破的背后，是三星对先进技术的深度应用。它采用了热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层堆叠产品与8层堆叠产品的高度保持一致，满足了当前HBM封装的要求。同时，HBM3E 12H的垂直密度相比HBM3 8H提高了20%以上，再次证明了三星在内存技术领域的卓越成就。

此外，三星还通过优化芯片之间的凸块（bump）尺寸，有效提升了HBM的热性能，进一步增强了产品的稳定性和可靠性。

业界预测，搭载HBM3E 12H的人工智能应用在训练速度上将实现显著的提升，相比使用HBM3 8H的应用，速度将提升34%。同时，推理服务用户数量也将实现跨越式增长，超过11.5倍。这一性能提升将使得人工智能应用在处理大规模数据和复杂任务时更加得心应手，为用户带来更加流畅和高效的体验。

目前，三星已经开始向客户提供HBM3E 12H的样品，并计划在今年下半年启动大规模量产。这一战略举措将进一步巩固三星在HBM市场的领导地位，为其在全球半导体市场的竞争中注入新的活力。

审核编辑：黄飞