SK海力士计划提升中国无锡工厂技术水平，推动半

韩国动态随机存取存储器（DRAM）制造商SK海力士，正在考虑升级其中国无锡工厂的设备，以改进生产工艺。目前，该工厂主要生产10纳米的DRAM芯片。然而，由于美国对华半导体出口的限制，特别是对于先进的EUV光刻机，这给SK海力士的技术升级带来了挑战。

随着全球半导体市场的复苏，SK海力士认识到，为了保持市场地位，推出更高性能的DRAM产品是必要的。这意味着他们需要升级到10纳米级别以上的DRAM，甚至是第四代DRAM或更高级别。无锡工厂作为SK海力士的核心生产基地，其产量约占公司DRAM总产量的40%。

韩国媒体对中国半导体产业的快速发展给予了高度关注。有分析师指出，尽管面临美国的限制，但中国的半导体制造商实际上比外界认为的要强大得多。中国企业正在积极采购关键的半导体制造设备，以增强自身的生产能力。去年，包括荷兰阿斯麦集团在内的国际半导体设备制造商从中国的订单大幅增长。

SK海力士计划升级其在中国的工厂，反映了半导体市场的整体趋势以及中国在高性能半导体制造方面取得的重要进展。这促使其他韩国芯片企业重新考虑他们在中国的战略，并寻找提高竞争力的方法。

审核编辑：黄飞