浅谈flash存储器的特点和优缺点

不管是Nor-flash还是Nand-flash，单位cell的结构都类似如下，为双gate的MOS结构。中间一层floating gate无漏电存在，可以保存住电荷而实现非易失。

Floating gate上电荷转移需要外加电压实现。在Control gate和沟道之间施加的反向电压可以去除电荷，也即擦除erase操作。在Control gate和沟道或source 之间施加正向电压可以将电荷转移到floating gate上。

flash存储器的三个特点

Flash存储器具有三个显著的特点：

区块结构：Flash存储器在物理上被分成若干个区块，这些区块之间相互独立。这种结构使得对存储器的操作可以更加灵活和高效。

先擦后写：Flash存储器的写操作具有特殊性，它只能将数据位从1写成0，而不能从0写成1。因此，在对存储器进行写入操作之前，必须先执行擦除操作，将预写入的数据位初始化为1。需要注意的是，擦除操作的最小单位是一个区块，而不是单个字节。

操作指令：执行写操作时，必须输入一串特殊指令（如NOR Flash）或者完成一段时序（如NAND Flash），才能将数据写入存储器。

Flash存储器还具有固有不挥发性的特点，与磁存储器相似，不需要后备电源来保持数据。因此，它具有无需电能保持数据的优点。

不同类型的Flash存储器（如NOR Flash和NAND Flash）可能在某些特性上存在差异。

Flash存储器的优缺点分别是什么

Flash存储器的优点主要包括以下几点：

数据存储非易失性：Flash存储器中的数据在断电后不会丢失，具有固有不挥发性的特点，因此不需要后备电源来保持数据。

数据存储速度快：Flash存储器具有较快的读写速度，能够满足许多应用对高速存储的需求。

数据存储密度高：Flash存储器具有较高的存储容量和密度，能够满足大容量数据存储的需求。

功耗低：Flash存储器的功耗相对较低，有利于节能减排和延长设备使用寿命。

然而，Flash存储器也存在一些缺点：

写入次数有限：Flash存储器的写入次数有限，一般只能进行有限的擦写周期。超过这个周期后，存储器的性能会受到影响，甚至可能导致数据丢失。

数据安全性有待提高：由于Flash存储器的数据是以区块为单位进行擦除和写入的，因此可能存在数据损坏或丢失的风险。此外，如果存储器遭受物理损坏或不当操作，也可能导致数据丢失或损坏。

请注意，不同类型的Flash存储器（如NOR Flash和NAND Flash）在优缺点方面可能存在差异。在选择和使用Flash存储器时，建议综合考虑其特点和应用需求，以确保满足实际需求。

审核编辑：黄飞