浅析RAM存储器内部结构图

RAM，中文名为随机存取存储器。它是一种计算机主存储器的形式，用于暂时存储CPU要处理的数据和程序。RAM 存储器可以被CPU随机访问，也就是说，CPU可以在不按照顺序进行访问的情况下，任意地选择存储器中的一个地址，并读取或写入存储器中的数据。

RAM 存储器通常被划分为动态随机存储器（DRAM）和静态随机存储器（SRAM），二者在价格、容量、速度、功耗等方面有所不同。

DRAM 存储器是一种廉价而高密度的存储器，可以存储数GB的数据，但其读写速度较慢，需要经常刷新（refresh）新颖的数据。SRAM 存储器则是一种高速而通常较少容量的存储器，可以迅速读写存储其内容，但通常更昂贵。

在计算机中，CPU需要定期地从 RAM 存储器中读取数据和指令。随着计算机应用程序的不断发展，RAM 存储器的容量和速度不断提高，以适应计算机系统的需要。

RAM结构

RAM（随机存取存储器）是一种计算机主存储器，根据内部结构的不同，可以分为静态随机存储器（SRAM）和动态随机存储器（DRAM）两种，它们的内部结构有所不同。

1. SRAM结构：SRAM 存储器使用了一组存储器单元。每个存储器单元由 6 个晶体管构成，其中 4 个是用于两个互补反相器的电脑元件，另外 2 个是用于选择单元的开关。SRAM 存储器具有实时响应能力和快速读取速度，但因为它使用许多元件来实现简单的存储单元，所以它需要更多占用空间。

2. DRAM结构：DRAM 存储器使用了一组存储器单元。每个存储器单元由一个电容器和一个晶体管构成。一个电容器只能存储一个数字位。DRAM 存储器具有高存储密度和简单的存储单元，但刷新需要的访问时间增加了存储和访问延迟。DRAM 存储器使用内部刷新电路，以避免数据位损失，但这也使得它的响应时间较长。

总的来说，SRAM和DRAM结构的区别在于他们使用的存储单元不同。SRAM使用更多的晶体管实现一个单元，RAM需要较大的空间才能保存相同的数据，但是他的读取速度快，响应时间实时。DRAM使用电容器和晶体管构成一个存储单元，存储密度高，但刷新延迟高，响应时间慢。

审核编辑：黄飞