受困于良率？三星否认HBM芯片生产采用MR-MUF工艺

电子发烧友网报道（文/黄晶晶）据报道，三星电子在半导体制造领域再次迈出重要步伐，计划增加“MUF”芯片制造技术，用于生产HBM（高带宽内存）芯片。但是三星在随后的声明中称，关于三星将在其HBM芯片生产中应用MR-MUF（批量回流模制底部填充）技术的传言并不属实。

三星在HBM生产中目前主要采用非导电薄膜（NCF）技术，而非SK海力士使用的批量回流模制底部填充（MR-MUF）封装工艺。报道称之所以要采用MR-MUF是为了解决NCF工艺的一些生产问题。几位分析师也表示，三星的 HBM3 芯片生产良率约为 10-20%，而 SK 海力士的 HBM3 生产良率约为 60-70%。

NCF技术（非导电薄膜技术），是使用热压缩薄膜来连接芯片。可以减少堆叠芯片之间的空间，从而在紧凑的HBM芯片组中堆叠多层芯片。

MR-MUF则是将半导体芯片堆叠后，为了保护芯片和芯片之间的电路，在其空间中注入液体形态的保护材料，并进行固化的封装工艺技术。与每堆叠一个芯片时铺上薄膜型材料的方式相较，工艺效率更高，散热方面也更加有效。这种技术为半导体制造带来了更高的集成度和性能提升，尤其在处理大数据和复杂计算任务时，能够显著提升芯片的运行效率和稳定性。



尽管在封装上各自路径不同，不过三星加快了HBM的研发步伐。目前三星已经发布最新的HBM3E 12H产品，将HBM3E DRAM芯片堆叠至12层，是迄今为止容量最大（36GB）的HBM产品。HBM3E 12H提供了高达每秒1280千兆字节（GB/s）的最高带宽。

三星HBM3E 12H采用了先进的热压非导电薄膜（TC NCF）技术，使得12层和8层堆叠产品的高度保持一致。三星电子称，已经开始向客户提供该芯片的样品，并计划在2024年上半年批量生产HBM3E 12H产品。

美光科技也于日前宣布，已开始量产HBM3E，其24GB 8H HBM3E产品将供货给英伟达，并将应用于NVIDIA H200 Tensor Core GPU，该GPU将于2024年第二季度开始发货。美光HBM3E可提供超过1.2 TB/s内存带宽，与竞争产品相比功耗降低约30%。根据产品规划，美光还将推出超大容量36GB 12-Hi HBM3E堆叠。另有消息称SK海力士今年3月量产全球首款HBM3E存储器。

从进度上来看，三星的HBM3E的量产时间略晚于SK海力士和美光科技。但是今年HBM三大家的竞争已经全面转向HBM3E。那么产能也将是一个重要部署。三星电子此前表示，今年将把HBM供应能力保持在行业最高水平，将产能提升至去年的2.5倍，以满足对人工智能芯片不断增长的需求。

SK海力士也同样做好了提升HBM产能的准备。SK海力士2024 年计划投资超过 10 亿美元，扩大在韩国的测试和封装能力。SK海力士负责封装开发的李康旭副社长（Lee Kang-Wook）表示，SK海力士正在将大部分新投资投入到推进MR-MUF和TSV（硅通孔）技术中。