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NAND Flash四季度涨幅预计10%以上

时间:2023-10-10 17:15

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作者:admin

标签: 三星  Nand flash  存储芯片  DRAM 

导读:三星内部认为当前NAND Flash供应价格过低,计划从今年四季度开始调涨NAND Flash产品的合约价格,涨幅预计在10%以上。...

消息人士透露,三星内部认为当前NAND Flash供应价格过低,计划从今年四季度开始调涨NAND Flash产品的合约价格,涨幅预计在10%以上。

上半年,三星、SK海力士、美光等存储芯片巨头在存储芯片领域的亏损已经高达数百亿美元。面对如此巨额亏损,它们不得不采取措施,不断上涨价格以挽回亏损,否则之前积累的利润可能会在短时间内消耗殆尽。

此外,原厂已通知下游厂商,计划在第四季度调涨合约价格。不同产品的涨幅各有差异,但涨幅几乎都在两位数水平。预计NAND Flash合约价格有望涨幅达到10%至20%,而DRAM合约价格预计将涨幅约为10%。

在10月初,威刚董事长陈立白表示,存储芯片产业经历了两年的苦熬,预计2024年下半年可能出现短缺。他认为,由于三大存储芯片巨头积极减产,效益开始显现,NAND和DRAM的现货价格近期已从低谷反弹,呈现两位数增长。

从供给端来看,中信证券预计,2023年存储芯片行业的供给增速将低于需求增速,供需将逐步达到平衡,有助于库存修复。他们对存储板块的周期性行情看好,预计2023年下半年将触底回升。从需求端来看,终端厂商目前处于去库存的后期,全年出货有望呈现逐渐上升的趋势,预计2023年下半年至2024年下游需求将回暖。

编辑:黄飞

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