三星披露下一代HBM3E内存性能

在加州圣何塞举办的年度存储技术大会上，三星披露了下一代HBM3E的情况，相比现有HBM3在容量、频率、带宽方面都有了巨大的提升。

三星HBM3E内存采用基于EUV极紫外光刻工艺的第四代10nm级工艺制造，确切地说是14nm。

单Die容量可达24Gb，8颗堆叠就是24GB，12颗堆叠就是36GB，相比HBM3增加了一半。

等效频率可达9.8GHz，同样提升一半，领先SK海力士的9GHz、美光的9.2GHz，单颗芯片的带宽可以做到1-1.1225TB/s。

对于NVIDIA H100这样的计算卡，六颗HBM3E可以组成单卡216GB的海量内存，总带宽高达7.35TB/s。

能效方面，三星宣称可以提升10％，但显然会被25％的频率提升所抵消掉。

考虑到三星刚刚量产HBM3，新一代的HBM3E将在明年的某个时候量产，而出货可能要到明年底了。

正因为如此，NVIDIA下一代计算卡B100将独家使用SK海力士的HBM3E，三星至少第一批赶不上了。

在三星的规划中，下一代HBM4将有两个发展方向，使用更先进的晶体管工艺和更高级的封装技术。

工艺方面，三星计划在HBM上放弃传统的平面晶体管，改用FinFET立体晶体管，从而降低所需的驱动电流，改善能效。

FinFET立体晶体管技术是Intel 22nm率先引用的，这些年一直是半导体制造工艺的根基，接下来在Intel 20A、台积电2nm、三星3nm上，都将转向全环绕立体栅极晶体管。

封装方面，三星计划从微凸点键合转向无凸点键合(bumpless bongding)，将铜层与铜层直接互连。

事实上，这在逻辑芯片领域也是相当先进的技术，仍在研发之中。

显然，这些都有助于HBM内存继续扩大容量、提升频率和带宽，但成本也将居高不下，注定它不会和普通用户产生多大关联，依然是HPC、AI领域的专属。

编辑：黄飞