元器件原理＜DRAM＞

由1个晶体管、1个电容器构成

数据的写入方法

＜“1” 时＞

Word线电位为 high

Bit线电位为 high

Word线电位为 low

元器件原理＜SRAM＞

存储单元构成

由6个晶体管单元构成

由4个晶体管单元（高电阻负载型单元）构成

数据的写入方法

＜“1” 时＞

Word线电位为 high

给予Bit线的电位（D=low， D=high） → 确定触发器的状态

Word线电位为 low

数据的读取方法

＜“1” 时＞

使Word线电位 off

对Bit线预充电（D， D与D相同的电位）

Word线电位为 high

Bit线变为 low、high的状态

用感测放大器进行增幅

通过触发器电路存储“1”、“0”