基于232层3D TLC NAND闪存的美光UFS 4.0模块能效提升

　　基于232层3D TLC NAND闪存的美光UFS 4.0模块能效提升25%

　　此前美光推出了其首个UFS 4.0移动存储解决方案，采用了232层3D TLC NAND闪存；速度提升很大，可以达到最高4300 MB/s的顺序读取速度和最高4000 MB/s的顺序写入速度。这也是首个使用六平面NAND架构的UFS 4.0存储产品，号称可以给智能手机提供更强性能。

　　美光新一代的UFS 4.0模块能够比上一代提升 25% 的能效。而且美光 UFS 4.0 存储模块使用两个 M-PHY Gear 5 通道进行数据传输，支持诸如 Data Stream Separation、Auto Read Burst 和 Eye Monitoring 等专有固件功能。

　　而且美光计划在2023年下半年开始批量生产UFS 4.0存储产品，分别为256GB、512GB和1TB。

　　另外，我们看到在2022年5月4日三星公布了 UFS（通用闪存）4.0 存储解决方案；而且已获得 JEDEC（固态技术协会）的通过。三星UFS 4.0 采用三星设计建造的独特控制器，以强大的 176 层第 7 代 V-NAND 实现4，200MBps的读取速度，同时通过 MIPI M-PHY 5.0 保持高达23.2Gbps 的数据传输，是 UFS 3.1 的两倍。写入速度也提高了 1.6 倍，达到2，800MBps。

　　UFS（Universal Flash Storage）是一种用于移动设备和嵌入式系统的闪存存储器标准。UFS 3.1和UFS 4.0是两个不同版本的UFS标准；UFS 4.0相对于UFS 3.1具有更高的数据传输速度、更低的延迟。

　　UFS 4.0引入了双通道技术，可以同时传输数据，提高了数据传输速度；更低的延迟和更高的数据带宽。UFS 4.0支持高达5.8 GB/s的连续读取速度和高达3.6 GB/s的连续写入速度。同时搭载了LPDC（Low Power Deep Check）技术，用于错误检测和修复。