国芯思辰 |铁电存储器PB85RS2MC助力物联网领域RF

作为一种非易失性存储器，铁电存储器兼具动态随机存取存储器DRAM的高速度与可擦除存储器EEPROM非易失性优点，虽然容量和密度限制了其大规模应用，但在要求高安全性与高可靠性等工业应用场合，铁电存储器以几乎无限的读写次数、超低及高抗干扰能力得到用户的青睐。

近年来随着物联网应用的普及，针对RFID的方案，铁电存储器低功耗、高速度和高性能特性与无线接入技术可以很好地结合在一起，本文推荐使用国产PB85RS2MC铁电存储器用于RFID方案中，该存储器的性能能够完美的替代MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（赛普拉斯），并且价格也有优势。

RFID传感器标签结构

传统RFID应用通常采用EEPROM存储器，与之相比铁电存储器有诸多优势。例如PB85RS2MC超低功耗特性使得同样使用普通纽扣电池寿命可以延长2000倍，在写入数据时EEPROM需要内部升高电压，所以写人速度非常慢，而PB85RS2MC在写和读方面的性能一样，同时速度比前者快六倍，能够实现整个存储区块的写入操作，更快地存储更多的数据，并且没有“预备时间”限制。

PB85RS2MC在RFID中的应用优势：

1、PB85RS2MC配置为262,144×8位，是通过铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术形成非易失性存储单元，该芯片不需要电池就可以保持数据。

2、PB85RS2MC具有读写速度快（最高100万次）、写入寿命长、写入耗能小等优点。

3、PB85RS2MC最低低功耗9微安（待机），工作电压2.7伏至3.6伏，可以在-40℃-85℃的温度范围内工作。

4、PB85RS2MC容量2M bit，提供SPI接口，工作频率25兆赫兹，并支持40MHz高速读命令。

5、PB85RS2MC工作环境温度范围-40℃至85℃，封装为8引脚SOP封装，符合RoHS；性能兼容MB85RS2MT（富士通）和FM25V20A（赛普拉斯）。

另外铁电存储器和EEPROM方案的读写距离不同，写入距离要比读取短很多，这就限制了一些需要写人数据的应用空间范围，而FRAM的读写距离都是一样，可以很好地解决这一问题。

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