什么是内存时序 内存时序的四大参数

　　内存时序是描述内存条性能的一种参数，一般存储在内存条的SPD中。内存时序和我们的内存频率一样，同样代表了一款内存性能的高低。一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。

　　主要内存的四个主要时序参数：

　　CL ： CAS Latency Control “内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”，同频率下，CL值越小内存条性能越好，从DDR1-4 CL值越来越大，相反说明CL越大，能上去的频率越高。

　　tRCD ： RAS to CAS Delay“行寻址到列寻址延迟时间”，tRCD值对内存最大频率影响最大。

　　tRP ： Row Precharge Timing“内存行地址控制器预充电时间”

　　tRAS ： Min RAS Active Timing“内存行有效至预充电的最短周期”，对某行的数据进行存储时，从操作开始到寻址结束需要的总时间周期。

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