鉴于预期需求放缓，三星电子明年计划减少内存

鉴于预期需求放缓，三星电子明年计划减少内存芯片产量增幅，以确保供应紧缩。

这家全球最大的NAND以及DRAM芯片制造商预测，DRAM内存的产量位元增长率（bit growth）将低于20%，而NAND闪存的位元增长率将为30%。

位元增长率指的是内存的产量，这对衡量需求至关重要。

三星与SK Hynix、Micron Technology一同控制着DRAM以及NAND闪存芯片市场，今年早些时候三星预测2018年DRAM内存和NAND闪存的位元增长率分别为20%和40%。

三星尚未对此消息置评。

芯片设备制造商KLA-Tencor Corp本月曾警告芯片销量将迎来“旱灾”，这引发了大众对此的忧虑，芯片行业长达两年的超级周期也许将中止。

“很多人都担心周期达到峰值，因而减少供应可以支撑定价。苹果已经减少需求，NAND的供应量过多，且SSD也未能按照预计的速度增加销量。”Elazar Advisors的分析师哈依姆·西格尔（Chaim Siegel）说道。

在第四季度财报公布之前，Rival Micron股价上涨了3%。Western Digital以及 Seagate Technology的股价分别上涨1%和2%。

“这些消息当然会给像Micron以及Western Digital这样的内存公司带来短期利好。”Summit Insights Group分析师Kinngai Chan说道。

“但是，我们还需要关注未来几个季度内DRAM以及NAND的价格下调比例。”