独立FRAM存储器方案设计,特点有哪些？

串行接口存储器的产品阵容有16Kbit至4Mbit的SPI接口产品，以及4Kbit至1Mbit的I2C接口产品。电源电压除主要的3.3V工作产品外，正在扩充1.8V工作产品。封装除能够与EEPROM及串行闪存兼容的SOP外，还提供可穿戴设备用SON（Small Outline Non-leadedpackage）及WL-CSP（Wafer Level Chip Size Package）等超小型封装产品。

与其他非易失性存储器相比，串行接口存储器的优势在于——写入快、读写耐久性高、功耗低。

*1 ：当工作温度低于+85℃时，数据保持时间可以延长，详细请参考数据手册。

*1 ：当工作温度低于+85℃时，数据保持时间可以延长，详细请参考数据手册。

*2 ：满足SPI以及Quad SPI接口

*3 ：高速读取模式时，可实现最大40MHz操作。

*4 ：有二进制计数器功能

*5 ：双SPI模式时，可实现最大7.5MHz操作。

并行接口存储器为采用TSOP或SOP封装的256Kbit至4Mbit的产品，工作时的电源电压为3.3V，但MB85R4M2T能够在1.8V-3.6V的大范围内进行工作。封装方式为能够与SRAM兼容的TSOP或SOP。

在SRAM及使用数据保持电池的应用中，并行接口存储器被作为进一步降低能耗或减少电池的解决方案。

*1 ：当工作温度低于+55℃或+85℃时，数据保持时间可以延长，详细请参考数据手册。

未来富士通还将通过技术来发来提高一些技术规格，如工作电压和存取速度，并提供多种产品。富士通半导体能够利用其它公司不能提供的富士通独有技术，提供广泛的单独FRAM产品。