三种主流内存技术（DDR、GDDR、LPDDR）的速度对比

您可能刚把计算机升级到DDR4的内存，也有可能仍然在使用DDR3的内存。不过不管怎样，DDR5内存要来了。

2017年3月，JEDEC协会宣布将在2018年正式发布DDR5的技术规范。目前，DDR5的规范制定已经到0.5版本，会在DDR4的基础上数据速率和密度再翻一倍，单颗粒容量可达32Gb，并预计会在2020年开始商用。

很多人会把DDR5和显卡上使用的GDDR5技术混淆，实际上两者应用场合不一样。下面这张图展示了目前三种主流内存技术（DDR、GDDR、LPDDR）的速度对比和应用场合。

DDR（Double Data Rate）是用于系统的RAM技术，其特点是高带宽、低延时。DDR总线每个Channel是64bit宽度，每根Data的管脚（DQ）可以进行读操作或写操作（不同时）。目前的最新标准是DDR4，数据线可以支持到3200MT/s，而DDR5是未来的技术，数据速率会再翻倍。

GDDR（Graphics Double Data Rate），是用于显示的RAM技术，其特点是高带宽、高延时。GDDR5技术实际来源于DDR3，只不过降低了电压，减少了位宽（但支持更多Channel），通过数据编码和读写线分开提高了数据速率（3G~6GT/s）。GDDR5已经使用了将近10年，目前最新的标准是GDDR6。

从数据速率上来说，GDDR更高，适合显示图像这种需要大数据量传输而对时延不太敏感的场合；而DDR技术由于延时小，所以更适合于CPU这种数据随机读取的场合。

据内部可靠消息，由于DDR5的数据速率已经达到甚至超过了现在一些串行总线的数据速率，所以DDR5芯片的接收端还会采用在串行总线上广泛应用的可变增益放大器VGA（variable gain amplifier）、可变Delay（通过DLL实现）以及4阶DFE（decision feedback equalizer）均衡技术以优化采样位置和眼图的质量。下图是DDR5芯片接收端的设计架构。

另外，DDR5还会采用HBM的封装以提高内存芯片的密度和通道数。High Bandwidth Memory (HBM) 技术最早来源于AMD、Hynix、UMC、Amkor、ASE等公司，是一种高速的3D封装的RAM接口技术。第一代的HBM技术在2013年被JEDEC协会采纳（JESD235标准），代表产品是AMD公司代号为Fuji的GPU芯片（下图）；而其第二代的HBM2技术也在2016年被JEDEC协会采纳（JED235A标准），代表产品是nVidia公司的Tesla P100芯片。目前，第三代的HBM3技术也在开发过程中，并将用于未来的DDR5芯片上。

HBM技术可以把最多8层DRAM的Die堆叠起来，并通过TSV（Through-Silicon Vias：硅通孔）技术和内存控制器通过相应的Interposer互联起来。在HBM接口中，内存控制器和和不同的Die间采用独立的Channel进行互联，各个Channel间互相没有关系，因为可以进行独立的时序设计以提高数据传输速率。比如在采用4层Die堆叠、每个Die有2个Channel、每个Channel有128bit宽度时，如果采用4颗芯片，则总的数据位宽= 4（Stack）*4（Die）*2（Ch）*128（bit）= 4096bit。