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无线基础设施成砷化镓集成电路市场

时间:2011-08-30 08:53

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作者:admin

标签: 砷化镓  集成 

导读:无线基础设施成砷化镓集成电路市场-全球无线网络基础设施中使用砷化镓(GaAs)半导体的市场预计将增长,从2011年的大约2.05亿美元达到2015年约为3.2亿美元。...

 

  根据市场战略研究公司Strategy Analytics分析:全球无线网络基础设施中使用砷化镓(GaAs)半导体的市场预计将增长,从2011年的大约2.05亿美元达到2015年约为3.2亿美元。

  随着移动数据消费的持续猛增,运营商正在改进其无线基础设施网络架构,以支持日益增长的数据需求,根据Strategy Analytics公司(波士顿)报告。该公司的最新报告关于砷化镓和复合半导体市场的预测,像多输入/多输出(MIMO)天线,异构网络,远程无线和小 单元的发展将增加基地站部门的数量,但需要从每个部门减少发射功率。这两个趋势将为砷化镓器件带来始终如一的增长率,根据Strategy Analytics报告。

  在Strategy Analytics的战略技术实践董事,Asif Anwa在一份声明中说:“4G技术,如LTE,正在迫使网络演变到大量的低功耗的基础设施部门,这将增加GaAs放大器的机会。”

  Strategy Analytics的报告预测,基站部门的出货量将增加至略多于920万到2015年。这些部门的一半以上将用于低功耗,小单元,据预测。

  “移动数据消费正在迅速推动无线基础设施市场的一个转折点,”Eric Higham,Strategy Analytics的GaAs和化合物半导体技术服务总监,在一份声明中说。“运营商实现的网络依赖更小,功耗更低的电池足迹,确保消费者继续欢迎数据应 用。这种架构扩展砷化镓元件的机会。”

  该报告还详细介绍了天线,功率放大器,低噪声放大器,收发器和前端组件的历史和最新发展趋势,Strategy Analytics表示。它还按功能和技术将无线基础设施放大器市场分段,按照地理,频率和输出功率预测基站部门数量,根据公司报告。

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