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首款面向卫星通信应用的GaN HEMT MMIC高功率放大器

时间:2011-06-23 09:09

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作者:admin

标签: HEMT  MMIC  GaN  功率  卫星通信 

导读:首款面向卫星通信应用的GaN HEMT MMIC高功率放大器(HPA)-科锐公司日前在巴尔的摩举行的 2011 年 IEEE 国际微波研讨会上展出业界首款面向卫星通信应用的 GaN HEMT MMIC 高功率放大器 (HPA)...

 

  科锐公司(纳斯达克:CREE)日前在巴尔的摩举行的 2011 年 IEEE 国际微波研讨会上展出业界首款面向卫星通信应用的 GaN HEMT MMIC功率放大器 (HPA) 。与现有商用 GaAs MESFET 晶体管或基于行波管的放大器相比,该产品可大幅提高性能。

  科锐无线射频(RF) 总监 Jim Milligan 指出:“这是首款可为卫星通信应用提供全新高性能的 GaN MMIC 产品,因为我们的 GaN HEMT 技术可实现出色的线性效率与功率增益。我们预计 GaN 产品不但将对热管理技术产生巨大影响,还可使商用及军用卫星通信系统的尺寸更小、重量更轻。”

  CMPA5585025F MMIC 采用多引脚陶瓷/金属封装 (1”x 0.38”) ,是一款 50 欧姆 (Ω) 、25 瓦特峰值功率的双级 GaN HEMT 高功率放大器 (HPA) 。MMIC 的工作瞬时带宽为 5.8 GHz 至 8.4 GHz,提供 15 瓦特线性功率(<-30 dBc 的相邻频道功率) 与 20 dB 功率增益。在该线性运行功率下,功率附加效率为 25%。

  该器件采用小型封装,可减小晶体管尺寸与重量,降低热管理的成本,从而实现出色的线性效率(比传统解决方案高 60%)。此外,该器件运行时需要的工作电压(28 伏特)大于 GaAs MESFET(12 伏特),因此晶体管还支持更低流耗,可降低功率分布损耗,实现更高的整体系统效率。

  CMPA5585025F 现已开始提供样片,并将于 2011 年夏天投入量产。

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