意法半导体推出先进的 1600 V IGBT，面向高性价比

2025 年7月16日，中国——意法半导体发布STGWA30IH160DF2 IGBT，该器件兼具1600 V的额定击穿电压、优异的热性能和软开关拓扑高效运行等优势，特别适用于需要并联使用的大功率家电应用场景，包括电磁炉、微波炉、电饭煲等电器。

该器件具备175℃最高结温特性和优异的热阻系数，可确保30A额定电流下的高效散热表现，在严苛工作环境中保持长期稳定运行。

作为STPOWER产品组合，这是意法半导体第二代IH系列首款1600V电压等级IGBT，采用先进的沟槽栅场截止（TGFS）技术，兼具高击穿电压与低饱和压降（典型值1.77V@额定电流），显著降低导通损耗。TGFS技术还能有效抑制关断尾电流，减少关断能量损耗。配套的反并联二极管具备低压降和软恢复特性，与主晶体管的开关性能协同提升谐振及软开关拓扑的整体能效。

STGWA30IH160DF2适用于16kHz至60kHz宽频范围的准谐振单管变换器设计。其高耐压和优异热效特性可有效抵御电压浪涌冲击，减少外围保护元件需求，显著降低物料清单（BOM）成本。

基于该器件设计的家电产品既能满足价格敏感市场的成本要求，又能凭借高能效表现获得优异能效评级。

该器件还具有正温度系数特性，配合严格的参数一致性控制，支持多管并联实现大功率应用中的均流设计。