东芝推出了40V N沟道功率MOSFET

　　在面向直流-直流转换器、电动助力转向系统（EPS）大容量电机驱动器和半导体继电器等汽车应用领域中，东芝推出了40V N沟道功率MOSFET。对于设计者来说，更低的导通电阻意味着更低的传导损耗，从而降低功耗，尤其是在重载的情况下。

　　该新产品对利用东芝最先进的第9代MOS “U-MOS IX Series”沟道工艺制造的芯片进行低阻抗TO-220SM（W）封装，实现了低导通阻抗。