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东芝开始交付业界首款嵌入式NAND闪存模块的样品

时间:2018-11-09 17:36

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作者:admin

标签: 交付  东芝  业界  首款  开始 

导读:东芝开始交付业界首款嵌入式NAND闪存模块的样品-关键词:NAND , 闪存 这款嵌入式存储器符合JEDEC UFS[2] 1.1版本标准,将64GB NAND和一个控制器整合在一个封装中 东芝公司今天宣布,业界首...

关键词: NAND , 闪存

这款嵌入式存储器符合JEDEC UFS[2] 1.1版本标准,将64GB NAND和一个控制器整合在一个封装中

东芝公司今天宣布,业界首款配备UFS I/F的64千兆字节(GB)嵌入式NAND闪存模块已经开始交付样品。该模块完全符合JEDEC UFS 1.1版本标准,专为包括智能手机和平板电脑在内的各种数码消费品打造。

样品主要用于由操作系统厂商对UFS I/F及其主芯片组中的协议进行评估。

由于主芯片组数据处理速度的提高以及无线连接带宽的扩大,市场上对可支持高分辨率视频的大密度、高性能芯片的需求持续强劲。

作为该核心领域公认的创新企业,东芝成为业界首家使用64GB UFS模块为样品提供支持的企业,并正借此巩固其领导地位。

东芝将根据市场需求来安排量产及该系列中其他密度产品的生产。

产品
产品型号           密度           封装           样品交付
THGLF0G9B8JBAIE           64GB           169Ball 12×16×1.2mm FBGA           2013年1月
                          

主要特性
1.    符合JEDEC UFS 1.1版本标准的接口,可处理的基本功能包括写入块管理、纠错和驱动程序软件。它简化了系统开发,让制造商能够最小化开发成本,缩短新产品及升级产品的上市时间。
2.    UFS I/F有一个串行I/F。它可升级通道数和速度。
3.    新产品采用12x16x1.2mm的紧凑型FBGA封装,其信号布局符合JEDEC UFS 1.1版本标准。
   
规格
接口           JEDEC UFS 1.1版本标准
工作电压         2.7V-3.6V(存储器核心)
1.70V-1.95V(控制器核心)
1.10V-1.30V(UFS I/F信号)
通道数         下游1个通道/上游1个通道
I/F速度         2.9Gbps/通道
温度范围         -25摄氏度至+85摄氏度
封装           169Ball 12x16x1.2mm FBGA
         


 

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