将引发移动、消费电子和联网设备的创新？ReRA

ReRAM被业界认为其出现将引发移动、消费电子和联网设备的一系列创新！过去几年，业界相关ReRAM的技术报道层出不穷，而产品却并不多见。前不久松下半导体与富士通合作开发出了业界最高密度4 Mbit ReRAM。这项被业界广泛乐观期待的技术，亲们都了解吗？ReRAM已经来临，我们一起迎接存储的新时代吧！

ReRAM（可变电阻式存储器），将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身。换句话说，关闭电源后存储器仍能记住数据。如果ReRAM有足够大的空间，一台配备ReRAM的PC将不需要载入时间。

ReRAM一直被认为是未来闪存的替代方案，能在单块芯片上存储1T数据，存取速率比闪存快20倍。典型的ReRAM由两个金属电极夹一个薄介电层组成，介电层作为离子传输和存储介质。选用材料的不同会对实际作用机制带来较大差别，但本质都是经由外部刺激（如电压）引起存储介质离子运动和局部结构变化，进而造成电阻变化，并利用这种电阻差异来存储数据。

ReRAM优点：

· 高速度：擦写速度由触发电阻转变的脉冲宽度决定，一般小于100ns。

· 耐久性：读写采用的是可逆无损害模式，从而可以大大提高其使用寿命。

· 具备多位存储能力：部分材料还具备多种电阻状态，使得当个存储单元存储多位数据成为可能，从而提高存储密度。

关于业界最高密度4 Mbit ReRAM

富士通与松下合作开发的业界最高密度4 Mbit ReRAM MB85AS4MT，不仅能在电压1.65至3.6伏特之间的广泛范围内工作，还能通过SPI接口支持最高5 MHz的工作频率，并在读取时仅需极低的工作电流（5MHz频率下平均仅消耗0.2mA）。此外，该产品拥有业界非易失性内存最低的读取功耗。

MB85AS4MT采用209mil 8-pin的SOP（small outline package），引脚与EEPROM等非易失性内存产品兼容。

富士通在微型8-pin SOP封装中置入4 Mbit的ReRAM，超越了串行接口EEPROM的最高密度。预期MB85AS4MT高密度且低功耗的特性可运用在电池供电的穿戴式设备、助听器等医疗设备，以及量表与传感器等物联网设备。

4 Mbit ReRAM MB85AS4MT的产品规格

· 内存密度（组态）：4 Mbit（512K字符x 8位）

· 界面：SPI（Serial peripheral interface）

· 工作电压：1.65 – 3.6V

· 低功耗：

- 读入工作电流0.2mA（于5MHz）

- 写入工作电流1.3mA（写入周期间）

- 待机电流10µA

- 休眠电流2µA

· 保证写入周期：120万次

· 保证读取周期：无限

· 写入周期（256 位/页）：16毫秒（100%数据倒置）

· 数据保留：10年（最高摄氏85度）

· 封装：209mil 8-pin SOP