高通:CES将聚焦骁龙835芯片 或披露首发机型

　　此前，高通公布了下一代骁龙处理器——骁龙835，高通骁龙835芯片将在2017年初发布，因此支持最新的Quick Charge 4.0快速充电技术，基于三星10nm制造工艺打造。高通骁龙835处理器将取代骁龙821/820，成为高通公司顶级移动处理器。

　　不过截止目前，高通并未公布骁龙835的更多信息，但表示10nm工艺将会带来更好的性能领先，提升功率效率，作为对比高通骁龙820基于14nm制造工艺打造。

　　三星表示，10nm工艺相比14nm将使得芯片速度快27%，效率提升40%，在高通骁龙835上具体数值还需要后续才能知晓。但高通骁龙835芯片面积将变得更小是毋庸置疑的。

　　三星Galaxy S8有望成为首款搭载高通骁龙835处理器的智能手机设备，LG和HTC也将推出搭载骁龙835的智能手机。

　　尽管三星和高通已经宣布骁龙 835 将采用 10nm FinFET 工艺打造，但尚未披露有关该芯片的更多细节。此外，即使我们知道 Galaxy S8 会成为首批搭载该 SoC 的设备之一，但其商用时间还不是很清楚。三星执行副总裁兼制造业务负责人 Jong Shik Yoon 表示：“我们很高兴有机会与高通在骁龙 835 的生产上紧密合作”。

　　高通早前表示骁龙 835 早已开始生产，并且预计商用设备会在 2017 年上半年到来。

　　鉴于许多旗舰设备都会在 2017 年的前 2 个月发布（移动世界大会 / MWC 2017），我们对于能在明年上半年买到几款搭载骁龙 835 设备感到好奇。

　　三星和高通方面都证实，骁龙 835 CPU 将采用全新 10nm FinFET 工艺。与上一代骁龙处理器相比，其空间效率可提升 30% 、性能提升 27% 、且能耗降低 40% 。

　　最后，高通在 Twitter 上暗示，新款处理器“将在 CES 2017 上重点亮相”，因此我们无需再等待多久。