ARM和Globalfoundries联手研发20nm移动芯片

　　8月14日消息，ARM和芯片工厂Globalfoundries日前宣布，双方将联手研发20nm工艺节点和FinFET技术。

　　ARM之前和台积电进行了紧密合作，在最近发布了若干使用台积电28nm工艺节点制作的硬宏处理器。但ARM日前又和Globalfoundries签订了合作协议，旨在为后者即将推出的、使用FinFET技术的20nm工艺节点开发SoC优化设计。

　　ARM表示，双方的合作能够缩短客户开发芯片的耗时。同时，公司的Cortex处理器和Mali图形处理器都将为即将推出的工艺节点进行优化。

　　ARM处理器和物理IP部门执行副总裁兼总经理Simon Segars表示：“设计手机、平板和电脑应用程序的客户将会极大地从本次合作中节能的ARM处理器和图形处理器中获益。通过双方为推广下一代20nm-LPM和FinFET工艺技术所进行的积极合作，双方客户也可被确保获得一系列执行选择，这些选择能够造就两代以上的现金半导体设备。”

　　英特尔的Trigate晶体管技术是FinFET的子集，可被大体归类为多栅晶体管。芯片商和工厂对该技术的研发已经进行了10年之久，但直到最近两年该技术才开始被使用在CMOS处理器当中。

　　ARM和Globalfoundries都没有透露双方合作将持续多长时间，但鉴于20nm工艺节点还有很长的一段路要走，台积电也不必太过担心于增加28nm工艺节点的产量。