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国际电子联合会半导体器件命名方法

时间:2008-12-19 01:19

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标签: 命名方法 

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国际电子联合会半导体器件命名法 表10   国际电子联合会半导体器件型号命名法
第一部分 第二部分 第三部分 第四部分
用字母表示使用的材料   用字母表示类型及主要特性 用数字或字母加数字表示登记号 用字母对同一型号者分档
符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义 符号 意义
  A   锗材料   A 检波、开关和混频二极管 M 封闭磁路中的霍尔元件     三 位 数 字    通用半导体器件的登记序号(同一类型器件使用同一登记号)           A B C D E L  
B 变容二极管 P 光敏元件
    B     硅材料   C 低频小功率三极管   Q   发光器件
  D 低频大功率三极管   R   小功率可控硅
  C   砷化镓 E 隧道二极管 S 小功率开关管
  F 高频小功率三极管   T   大功率可控硅 一 个 字 母 加 两 位 数 字    专用半导体器件的登记序号(同一类型器件使用同一登记号)
  D   锑化铟   G 复合器件 及其它器件   U   大功率开关管
H 磁敏二极管 X 倍增二极管
    R   复合材料   K 开放磁路中的霍尔元件   Y   整流二极管
  L 高频大功率三极管   Z 稳压二极管齐纳二极管
FE或NF)进行分档。
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