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意法半导体创新不止步,多项产品奖荣耀加身

时间:2024-12-19 11:28

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作者:admin

标签: IOT  STM32 

导读:STM32WL33系列 2024年10月14日,意法半导体的STM32WL33系列在2024第九届IoT创新颁奖典礼上获得由知名电子科技媒体电子发烧友网颁发的“IoT年度产品奖” 。该奖项旨在发掘和表彰IoT行业中具有...

STM32WL33系列

2024年10月14日,意法半导体的STM32WL33系列在2024第九届IoT创新颁奖典礼上获得由知名电子科技媒体电子发烧友网颁发的“IoT年度产品奖”。该奖项旨在发掘和表彰IoT行业中具有开拓精神并为企业带来杰出贡献的领导者,具有创新价值和深远影响的杰出技术,以及在过去一年中,被市场和行业用户所高度关注和认可的创新产品。

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STM32WL33系列无线微控制器MCU)官宣上市,产品集成了新一代Sub-GHz远距离射频收发器Arm Cortex-M0+处理器内核和针对智能表计应用定制的外设以及改进的省电功能。新款MCU大大简化了无线解决方案的设计,缩短了产品上市时间,并延长了电池续航时间。

此外,STM32WL33新产品拥有多协议支持和自定义调制,带来了强大灵活性;高集成芯片降低了设计复杂度;能为开发人员提供了广阔的生态系统支持。

意法半导体高功率冷却系统10kW解决方案3相Vienna PFC + 压缩机一体化解决方案 2024年10月14日,意法半导体高功率冷却系统10kW解决方案3相Vienna PFC + 压缩机一体化解决方案在2024第五届电机控制技术市场表现奖颁奖典礼上获得由知名电子科技媒体电子发烧友网颁发的“年度电机控制器十大主控芯片”。

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意法半导体提供一整套高功率冷却解决方案,以满足差异化的功率范围和架构的需求。大功率热管理系统包含意法半导体最新的10kW商用压缩机解决方案。通过使用单个STM32G4微控制器(MCU)来控制多种功能,包括三相维也纳PFC、FOC(磁场定向控制)电机驱动、Nano Edge AI预测性维护和KNX集成。

该解决方案还采用意法半导体的1200V IGBT和SiC二极管以及电隔离栅极STGAP驱动器,提供稳健、可靠的电源性能。此外,意法半导体还提供另外两种解决方案:7kW三重FOC和交错式PFC;4kW双重FOC和交错式PFC。以满足不同客户对热泵和商用空调的规格要求。

主要特性

✦集中智能:
一个STM32驱动BLDC和dPFC

✦ST提供的完整固件工作区:
MC FOC SDK和Vienna VOC SDK

✦集成KNX总线

✦高能效可采用SiC MOSFET和SiC二极管

✦总CPU负载低:65%

✦功率> 30%àPFC iTHD < 6%,最大功率 -> iTHD < 2%

用于AI服务器电源的ST碳化硅TOLL SCT040TO65G3

2024年11月5日,用于AI服务器电源的ST碳化硅TOLL SCT040TO65G3在2024全球电子成就奖颁奖典礼上荣获“年度功率半导体/驱动器”

“全球电子成就奖”(World Electronics Achievement Awards)由全球电子技术领域知名媒体集团AspenCore主办,此奖旨在评选并表彰对推动全球电子产业创新做出杰出贡献的企业和管理者。

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2024年12月12日,意法半导体在“2024行家极光奖”颁奖典礼上荣获“年度标杆领军企业”;同时,用于AI服务器电源的ST碳化硅TOLL SCT040TO65G3也荣获了“年度影响力产品奖”。这些奖项主要授予在碳化硅和氮化镓领域拥有一定成就并取得重要成绩,技术水平达到行业乃至国内外先进水平,在推动行业发展、技术创新和市场推广等方面作出优异成绩的企业和产品。

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基于ST最新的第三代工艺的碳化硅MOS管SCT040TO65G3(TO-LL封装),是满足爆发式增长的AI服务器市场的最佳选择。该碳化硅MOS管拥有极低的导通损耗,同时开关特性优异,鲁棒性强,散热能力出众。一经推出,出色的效率,极佳的稳定性,广受客户的好评。 功能

✦非常快速且坚固的体二极管

✦在整个温度范围内具有非常低的RDS(on)

✦高速开关性能

✦源开尔文引脚可提高效率

主要优势

✦极低的能量损失和低RON,尤其是在非常高的Tj时 - 更小更轻的系统具有更高的工作频率

✦热性能

o 高工作温度(Tjmax = 175°C)

o 降低冷却要求和散热器

o 延长使用寿命

✦易于驱动 - 与标准栅极驱动器完全兼容

✦非常快速且坚固的体二极管–更紧凑的逆变器

用于AI服务器电源的ST碳化硅TOLL SCT040TO65G3,专为高速相位和紧凑性、高功率和更高效的服务器和电信电源系统而设计。这款碳化硅功率MOSFET器件采用ST先进创新的第三代SiC MOSFET技术开发而成。该器件在整个温度范围内具有极低的RDS(on),同时具有低电容和极高的开关操作,可提高应用在频率、能效、系统尺寸和重量减轻方面的性能。

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