灵动微MM32SPIN160C微控制器方案

灵动微MM32SPIN160C采用高性能为内核为M0的32位微控制器，5V输出的LDO稳压器、三组具备有自举二极管的N通道半桥栅极驱动器。MCU的工作频率最高可达72兆赫兹，内置SRAM高速存储器，丰富的增强型I/O端口和外设连接到外部总线。MM32SPIN160C产品包含1个12位的ADC、1个比较器、1个16位通用定时器、1个32位通用定时器、3个16位基本定时器、1个16位高级定时器。还包含标准的通信接口：1个I2C接口、1个SPI接口和1个UART接口。MM32SPIN160C产品提供QFN32封装形式，该产品适合于三相永磁无刷电机和电动工具等多种应用场合。灵动微电子代理厂商可提供产品应用解决方案支持。

MM32SPIN160C特征

•内核与系统

–32位ARM®Cortex®-M0处理器内核

–最高工作频率可达72MHz

–单指令周期32位硬件乘法器

–硬件除法器（32Bit）

–单指令周期32位硬件乘法器

•存储器

–高达32K字节的闪存程序存储器

–高达4K字节的SRAM

•时钟、复位和电源管理

–2.0V~5.5V供电

–上电/断电复位（POR/PDR）、可编程电压监测器（PVD）

–外部2~24MHz高速晶体振荡器

–内嵌经出厂调校的48/72MHz高速振荡器

–内嵌40KHz低速振荡器

•低功耗

–睡眠、停机和待机模式

• 5V LDO 稳压器

– 输入电压最高13.5V

• 三组N 型半桥式栅极驱动器（GATE-DRIVER）

– 三相栅极驱动器

– 支持电压UVLO 保护

– 1A/1A SINK/SOURCE 三相栅极驱动电流

• 96 位的芯片唯一ID（UID）

• 采用QFN32 封装

MM32SPIN160C引脚

内置的SRAM

内置最大可到4K字节的静态SRAM。

它可以以字节（8位）、半字（16位）或字（32位）进行访问。SRAM起始地址为0x20000000。

•数据总线上最大可到2K字节的SRAM。可以被CPU或者DMA用最快的系统时钟且不

插入任何等待进行访问。

闪存主要特性

•高达32K字节闪存存储器

闪存接口的特性为：

•带预取缓冲器的数据接口（2×64位）

•选择字节加载器

•闪存编程/擦除操作

•访问/写保护

•低功耗模式

FLASH读操作

嵌入式Flash模块可以像普遍存储空间一样直接寻址访问。任何对Flash模块内容的读操作都须经过专门的判断过程。

取指令和取数据都是通过AHB总线读取访问，能够按照Flash访问控制寄存器（FLASH_ACR）中得选项所指定的方式执行：

•取指：预取值缓冲区使能后可提高CPU运行速度

•潜伏期：等待位的个数，保证正确的读取。

审核编辑：黄飞