瑞萨RL78系列单片机支持百万次读写的数据闪存方

早期的存储器只能写一次，随后紫外线擦写的存储器问世，支持上千次读写操作。

随着技术的发展，闪存的读写越来越快，读写次数也越来越多。十万次读写已经是目前最低配置，百万次读写将成为标配。

如今，存储器的价格已不再是20年前昂贵买不起的价格，基本可以用“白菜价”来形容了。所以，现在MCU内部集成存储的容量越来越大，性能也越来越高。

今天结合瑞萨RL78系列单片机支持百万次读写的数据闪存（Data Flash）给大家讲述一下其读写方法。

数据闪存（Data Flash）概述

最近这些年推出的大部分MCU，基本都有供用户可编程和使用的Flash，RL78系列MCU也是类似的Flash，官方叫数据闪存（Data Flash）。

数据闪存（Data Flash）可供用户存储产品的标定参数、运行数据等，这样就可以免去片外存储器件，有效的降低了用户的硬件成本。

Data Flash特点：

用户能基于瑞萨官方提供的库来使用MCU内部的数据闪存，虽然MCU内部的闪存仍以1K字节块作为单位，但是用户可以按照字节进行读写。

RL78资源的不同，对应的内部数据闪存的大小也不尽相同，一般大小在2K-8K字节范围之间，就单个地址，当前读写次数能达到1,000,000次，可在1.8-5.5伏电压范围内进行操作。

Data Flash使用说明

Data Flash应用库的下载：

如果你用的是CC-RL编译器，请在如下地址下载应用库和API应用文档：

https://www.renesas.cn/cn/zh/document/upr/data-flash-library-type04-ver105-cc-rl-compiler-rl78-family?language=en

如果你用的是CA78K0R编译器，请在如下地址下载应用库和API应用文档：

https://www.renesas.cn/cn/zh/document/upr/data-flash-library-type04-ver105-ca78k0r-compiler-rl78-family

（提醒：请复制链接到浏览器下载）

避开MCU内部RAM相关区域：

根据MCU的硬件手册和《Self RAM list of Flash Self-Programming Library for RL78 Family》规定，有些MCU的RAM部分区域不能被数据库使用，因此需要在section设置进行避开，否则编译会出错，不同MCU要求也不尽相同，以R5F100LE为例，闪存库仅能使用RAM FFE00H ～ FF2FFH以外的区域，如下。

如下是基于R5F100LE在CS+上的具体section配置，以避开相应的区域，其他型号的MCU也可参考。

Data Flash测试

把RL78闪存库加载到应用工程里，然后调用初始化和读写函数进行数据的操作，当前使用RL78G13硬件板型号是“YRPBRL78G13”。然后在R5F100LE Data Flash的起始地址连续写一串数据“0x11,0x22,0x33, … 0xCC，并把它们读出出来，数据定义以及应用代码如下:

unsigned char Execute_status;    
unsigned char W_DataFla_buff[3]  = {0x11,0x22,0x33};
unsigned char W_DataFla_buff1[3] = {0x44,0x55,0x66};
unsigned char W_DataFla_buff2[3] = {0x77,0x88,0x99};
unsigned char W_DataFla_buff3[3] = {0xAA,0xBB,0xCC}; 
unsigned char R_DataFla_buff[12]; 
unsigned long int address=0x00;
         R_FDL_Init(); 
       Execute_status = R_FDL_BlankCheck(0x00,1024);
        if (Execute_status == 0x1b) 
        {
        R_FDL_Erase(0x00);
        }  
        R_FDL_Write(address,&W_DataFla_buff[0],3); 
        address+=3;
        R_FDL_Write(address,&W_DataFla_buff1[0],3); 
        address+=3;
        R_FDL_Write(address,&W_DataFla_buff2[0],3); 
        address+=3;
        R_FDL_Write(address,&W_DataFla_buff3[0],3); 
        address+=3;
        Execute_status = R_FDL_Iverify(0x00,1024);
        if (Execute_status == 0x1b) 
        {
                return;   


        }     
        R_FDL_Read(0x00,&R_DataFla_buff[0],12);
        PFDL_Close();

代码在硬件板“YRPBRL78G13”上运行测试结果如下，执行正确。

审核编辑：刘清