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三相MOSFET(三个半桥)门驱芯片-PT5671概述

时间:2023-09-13 16:06

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导读:PT5671 是为控制N沟道MOSFETs而设计的三相Gate驱动IC。芯片内部有3个半桥,共驱动6个N沟道功率MOSFETs,每一路输出均由单一逻辑输入信号控制,由MCU或控制器来控制马达工作于任意模式。...

三相 MOSFET(三个半桥)门驱芯片-PT5671

产品概述

PT5671 是为控制N沟道MOSFETs而设计的三相Gate驱动IC。芯片内部有3个半桥,共驱动6个N沟道功率MOSFETs,每一路输出均由单一逻辑输入信号控制,由MCU或控制器来控制马达工作于任意模式。

芯片内部采用交越控制方法来保护功率MOSFETs。

PT5671采用BCD工艺设计,应用线路较简单,只需要提供一个VM=4.5~32V电源电压及几个的外部元件即可。

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(详细参数见规格书)

产品特性

4.5V ~ 32V三相门驱动

3.3V~ 5V输入逻辑

电荷泵(charge pump)抬压方式

5V闸极电压

死区(dead-time) ~ 100ns

驱动电流IO+/IO- : 140/170mA

TSSOP20 /QFN20封装

产品应用

1.无人机云台, 云台稳定器

2.低压马达驱动

3.电池供电无刷马达应用

4.三相无感/霍尔控制无刷直流风扇电机






审核编辑:刘清

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