蜂鸣器控制电路解析

当BUZZ处于高压状态时，晶体管T1（N型晶体管）接通，蜂鸣器响起。R5 的角色用于电流限制。

以下电路增加一个电容C18和一个反向二极管D2，以滤除和阻断反向二极管。二极管的反向击穿电压非常高。一般低功率三极管触发电压非常低至0.7V。电流也很小，一般小于1UA。

III IO控制电源开关已打开 - 使用晶体管和 MOS 管

MOS：FET MOSFET管之一，可制成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道全部类型。但实际应用只是增强型N沟道MOS管和增强型P沟道MOS管，即NMOS和PMOS。

对于这两种增强型MOS管，通常使用NMOS，其特点是导通电阻低。它通常适用于巫术电源和电机驱动。

导管条件：

当 Vgs 大于特定值时，NMOS 将打开。当 Vgs 小于某个值时，PMOS 打开。

开关损耗：

无论是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻，导致不可避免的损耗。而现在MOS晶体管的导通电阻一般是几十毫欧。

MOS管AO3401：P沟道增强模式场效应晶体管

导通条件：一般不超过-12V即可用于AO3401。以下是不同压降下的阻抗：