台湾茂矽联手富鼎先进开发电动车高功率IGBT

　　茂矽电子与富鼎先进将合作开发电动车（EV）高功率绝缘闸双极型电晶体（Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT）元件。茂矽电子与富鼎先进联合申请的「绿能车用高功率IGBT元件技术开发计画」日前获经济部「业界科专计画」审议通过，未来茂矽电子、富鼎先进将与工研院电光所进一步合作，透过雷射煺火（Laser Anneal）製程开发适用于电动车的高功率IGBT，防堵中国大陆业者一波波的IGBT发展攻势。

　　茂矽电子副总经理周崇勋表示，高功率IGBT是电动车马达系统的关键元件及能量耗损之处，一旦马达系统效率提升，将能带动电动车速度、降低散热系统需求并提高电池续航力，因此，富鼎先进与茂矽电子分别针对高功率IGBT设计与晶圆代工提出「绿能车用高功率IGBT元件技术开发计画」，未来该计画将利用工研院雷射煺火製程技术的回火製程，期能大幅降低IGBT製造成本并得到较高的良率，并改善***电动车关键零组件多得向英飞凌（Infineon）、意法半导体（ST）等国外大厂购买的情形。

　　据了解，绿能车用高功率IGBT元件技术开发计画为期2年，2013年起，富鼎先进将会针对高功率IGBT元件进行设计模拟（Simulation），而茂矽电子则积极提升晶圆薄化技术能量，以降低晶圆导通电阻。未来，高功率IGBT元件由茂矽电子封装后，将交由工研院电光所组装至马达模组并进行验证。

　　周崇勋指出，茂矽电子将使用该公司位于竹科的6吋晶圆厂生产电动车高功率IGBT元件。若该元件顺利研发成功，未来相关技术与经验，亦可转移至製造太阳能逆变器、冰箱变频器等IGBT元件上。

　　事实上，高功率IGBT元件成本居高不下，因而让各国业者想要火速加快电动车IGBT元件自製化步调。以中国大陆为例，高功率IGBT元件在十二五计画当中为重点开发项目，政府大力补助IGBT元件开发计画，因此，中国大陆内部多家厂商正戮力研发製程。例如知名电动车商比亚迪收购IGBT生产商中纬，利用中纬的6吋晶圆厂生产电动车高功率IGBT，并已陆续发布相关产品。

　　周崇勋指出，本次由茂矽与富鼎先进、工研院的合作计画在国际竞争上仍具价格竞争力。计画中主要的雷射煺火製程的机台成本相较于他国版本，台厂至少可以一半价格製造，因为***厂商已具备该製程机台的零组件技术，所以，高功率IGBT元件製程成本大幅降低将是台厂的一大优势。

　　展望未来电动车市场，周崇勋认为全球市场情况仍不明朗，尚未见到终端市场需求起飞之势。儘管如此，各元件厂仍看好电动车市场未来发展潜力，并加足火力持续研发电动车关键零组件，以跨越高技术门槛并提高自製程度，期在未来电动车商机爆发时，能一举在市场裡圈地。