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在氧化镓基日盲雪崩探测器研究领域取得新突破

研究组在前期Ga₂O₃/ITO n-n型雪崩探测器件成果的基础上（ACS Nano，2021，15：16654），经过不断探索，通过插入合适的宽带隙材料（MgO）对势垒高度进行了调...

阅读全文2023-02-10

氮化镓行业发展前景如何？

氮化镓根据衬底不同可分为硅基氮化镓和碳化硅基氮化镓：碳化硅基氮化镓射频器件具有高导热性能和大功率射频输出优势，适用于5G基站、卫星、雷达等...

阅读全文2023-02-10

DC/DC转换器IC BD9V100MUF-C的规格和特点介绍

ROHM开发出以2MHz开关频率实现业界最高降压比的DC/DC转换器ICBD9V100MUF-C，并已于2017年6月开始出售样品，于2017年12月投入量产。...

阅读全文2023-02-10

DC/DC转换器IC BD9V100MUF-C介绍

ROHM开发出以2MHz开关频率实现业界最高降压比的DC/DC转换器IC“BD9V100MUF-C”，并已于2017年6月开始出售样品，于2017年12月投入量产。...

阅读全文2023-02-10

LED照明电路（临界模式PFC＋DC/DC）：利用MOSFET提升

从本文开始将介绍在具体应用中效率等的改善案例。LED照明电路（临界模式PFC＋DC/DC）：利用MOSFET提升效率并降低噪声的案例，下面的电路摘自实际LED照明...

阅读全文2023-02-10

第三代SiC肖特基势垒二极管介绍

ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC-SBD”）产品。ROHM的每一代SiC-SBD产品的推出都是正向电压降低、各特性得以改善的...

阅读全文2023-02-10

南芯科技推出PD3.1 140W单口/多口快充解决方案

USB PD3.1 能够迅速商业化，离不开苹果公司的“鼎力支持”— 2021 年10 月苹果发布的16 英寸MacBook Pro，成为全球首款支持USB PD3.1 快充技术的笔记本电脑，支持...

阅读全文2023-02-09

控制阈值电压

此外，衬底偏压也能影响阈值电压。当在衬底和源极之间施加反向偏压时，耗尽区被加宽，实现反转所需的阈值电压也必须增加，以适应更大的Qsc。...

阅读全文2023-02-09

RF设计基础：驻波比、回波损耗和失配损耗

在传输线测量的早期，这些高性能定向耦合器是不可用的，公式2是测量Γ幅度的简单解决方案。为此，工程师只需要通过称为开槽线路的设备测量沿线路的...

阅读全文2023-02-09

600V SJ-MOSFET：R60xxJNx系列

ROHM独有的超级结MOSFET产品PrestoMOS，运用ROHM独创的Lifetime控制技术优势，实现了极快*的反向恢复时间（trr），非常有助于降低空调和逆变器等应用稳定运行...

阅读全文2023-02-09

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