新款旗舰手机中的存储器技术解析

近期国内大厂旗舰新机横空出世，在业界和市场造成极大轰动。经研调机构专业拆解发现，其主控芯片及大部分芯片都是国产，仅LPDDR5闪存和NAND Flash内存来自于SK海力士。   从丝印上可以看出分别为：H58GG6MK6GX037 和 HN8T25DEHKX077（由于屏蔽罩遮挡，按照海力士命名规则第一个字母应该是H）。 在海力士的官网查得两个型号信息为：  

由上得知H58GG6MK6GX037为一颗12GB LPDDR5 的闪存，但官网产品状态为CS而非MP。

2019年2月，JEDEC正式发布LPDDR5全新低功耗内存标准，即Low Power Double Data Rate 5。相较于LPDDR4标准，LPDDR5的I/O速度从3200MT/s提升到6400MT/s，速度直接翻番。如果匹配高端智能机常见的64bit BUS，每秒可以传送51.2GB数据；如果匹配PC的128bit BUS，每秒可突破100GB数据。

而从海力士的规格书上看H58GG6MK6GX037这颗料量产时间应该是在2021年。

HN8T25DEHKX077为一颗3.1版本的512GB UFS ，状态也为CS。

2020年1月30日JEDEC发布了UFS 3.1标准，相比于之前的版本，UFS 3.1更新了三个部分。包括“ Write Booster”——SLC非易失性缓存，可提高写入速度。“DeepSleep”——增加了一种新的低功耗状态，降低UFS的工作压力和减少对稳压器的唤醒来达到降低功耗的目的，延长设备的电池续航时间。以及“Performance Throttling Notifications（性能节流通知）”——当高温导致存储性能下降时，UFS设备可以通知主机，主机性能增强器功能是可选的。

由此可以看出HN8T25DEHKX077最快量产时间也应该是在2021年下半年。

编辑：黄飞